化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)用儀器>組裝與封裝設(shè)備>芯片開(kāi)封機(jī)>ZG 硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片
ZG 硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片
參考價(jià) | ¥ 9888 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱(chēng) 四川梓冠光電科技有限公司
- 品牌 梓冠
- 型號(hào) ZG
- 產(chǎn)地 經(jīng)開(kāi)區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2023/10/18 9:07:51
- 訪問(wèn)次數(shù) 1049
聯(lián)系方式:陳經(jīng)理17308159058 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
延遲線、光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測(cè)器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片
〖簡(jiǎn)介Introduction〗
單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù),是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu),芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路,延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下,最大總時(shí)延量 1022ps;延時(shí)精度 0.5ps,片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片,光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段,具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度減小系統(tǒng)體積;由于光載波頻率相對(duì)于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比,光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力,適合各類(lèi)超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。
〖特性Features〗
n 高速切換(100~200ns)
n 高延時(shí)精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可達(dá))
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)
n 大時(shí)延范圍(~2ns 可達(dá))
n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)
應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號(hào)處理
〖主要性能指標(biāo) Specifications〗
性能指標(biāo)/Parameter | 單位/Unit | 典型值/Typ. | 備注/Notes |
工作波長(zhǎng)/Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延時(shí)位數(shù)/Delay bits | / | 9 | 可定制/Can be customized |
最小延時(shí)步進(jìn)/Min.step-delay | ps | 2 | 可定制/Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量/Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延時(shí)精度 | ps | ±0.5 | ≤16ps 延時(shí)量 |
±1 | 18~64ps 延時(shí)量 | ||
±2 | 66~512ps 延時(shí)量 | ||
±3 | 514~1022ps 延時(shí)量 | ||
延時(shí)切換時(shí)間/Delay switching time | ns | 200 | |
插入損耗/Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延時(shí)態(tài)損耗差異/Delay state loss difference | dB | ±1 | |
耐受光功率 | dBm | 23 | 26dBm max |
回波損耗/Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸/Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片