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梓冠 高精度7bit 光延時器芯片

參考價 9888
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號 梓冠
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/7/30 8:44:22
  • 訪問次數(shù) 856

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四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設(shè)備和光通訊芯片的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術(shù)企業(yè)。
    梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%,本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體激光器及光路保護設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品,公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關(guān)、光衰減器系列為核心技術(shù)的量產(chǎn)產(chǎn)品,產(chǎn)品技術(shù)獲得多項認證,其中發(fā)明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。
公司擁有超150多家客戶,已與華為、中航、中電、中物院、高校及航天等企業(yè)、單位達成長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;公司先后獲得“科技型中小企業(yè)” ,“國家高新技術(shù)企業(yè)” ,“綿陽市文明青年號”,“2016年度誠信創(chuàng)業(yè)青年,“軍民融合企業(yè)”,“2019年度知識產(chǎn)權(quán)工作優(yōu)秀單位”等榮譽稱號。
   四川梓冠光電科技有限公司堅持科技創(chuàng)新為原則,一直將創(chuàng)新貫穿于企業(yè)的核心價值當中,公司強調(diào)和諧的企業(yè)創(chuàng)新氛圍,為每一位員工提供一個廣闊的發(fā)展平臺;在企業(yè)內(nèi)部管理上十分重視團隊精神,以團隊的共同創(chuàng)造能力推進企業(yè)的各項發(fā)展,更加系統(tǒng)化、專業(yè)化,給客戶持續(xù)提供優(yōu)質(zhì)和全面的服務(wù),使梓冠光通信的產(chǎn)品處在行業(yè)







延遲線、光開關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準直器、激光準直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等

硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片


〖簡介Introduction〗

梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

〖特性Features

n 高速切換

n 高延時精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強

〖應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)

主要性能指標 Specifications

性能指標

Parameter

單位

Unit

典型值

Typical value

備注

Notes

延時位數(shù)

Delay bits

/

7

可定制

Can be customized

最小延時步進

Min.step-delay

ps

2

可定制

Can be customized

可調(diào)節(jié)最大延時量     Adjustable max.delay

ps

254


延時偏差

Delay deviation

ps

≤±0.5

≤±1@max

延時切換時間

Delay switching time

µs

≤1


插入損耗

Insertion loss

dB

14


各延時態(tài)損耗差異

Delay state loss difference

dB

±0.5


波損耗

Return loss

dB

45


芯片尺寸

Chip dimension

mm

19×11×0.7



 光延時器芯片

高精度7bit 光延時器芯片

高精度7bit 光延時器芯片




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