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ZG 高速SOI芯片光電探測器陣列

參考價 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號 ZG
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/8/5 8:38:59
  • 訪問次數(shù) 719

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四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設(shè)備和光通訊芯片的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術(shù)企業(yè)。
    梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%,本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體激光器及光路保護設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品,公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關(guān)、光衰減器系列為核心技術(shù)的量產(chǎn)產(chǎn)品,產(chǎn)品技術(shù)獲得多項認(rèn)證,其中發(fā)明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。
公司擁有超150多家客戶,已與華為、中航、中電、中物院、高校及航天等企業(yè)、單位達成長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;公司先后獲得“科技型中小企業(yè)” ,“國家高新技術(shù)企業(yè)” ,“綿陽市文明青年號”,“2016年度誠信創(chuàng)業(yè)青年,“軍民融合企業(yè)”,“2019年度知識產(chǎn)權(quán)工作優(yōu)秀單位”等榮譽稱號。
   四川梓冠光電科技有限公司堅持科技創(chuàng)新為原則,一直將創(chuàng)新貫穿于企業(yè)的核心價值當(dāng)中,公司強調(diào)和諧的企業(yè)創(chuàng)新氛圍,為每一位員工提供一個廣闊的發(fā)展平臺;在企業(yè)內(nèi)部管理上十分重視團隊精神,以團隊的共同創(chuàng)造能力推進企業(yè)的各項發(fā)展,更加系統(tǒng)化、專業(yè)化,給客戶持續(xù)提供優(yōu)質(zhì)和全面的服務(wù),使梓冠光通信的產(chǎn)品處在行業(yè)







延遲線、光開關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.


〖性能指標(biāo)Specifications〗


參數(shù)指標(biāo)

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應(yīng)度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學(xué)混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學(xué)混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數(shù)

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關(guān)損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)




高速SOI芯片光電探測器陣列

高速SOI芯片光電探測器陣列




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