從輩份講，2002是小字輩的，因?yàn)樯a(chǎn)年代比較晚，大約是2000年。當(dāng)然，晚出有，因?yàn)榭梢詤⒄談e人的成熟技術(shù)，采用新的結(jié)構(gòu)設(shè)計和元件。

外觀上看，與自己的2000六位半、2001七位半同樣大小，半寬，這在8位半里。別的八位半都是標(biāo)準(zhǔn)寬度。

指標(biāo)上看，基本檔24小時1.2ppm，明顯不如主流8位半的0.5ppm，當(dāng)然1年指標(biāo)10ppm也不算很差。電阻基本檔1年9ppm，很不錯了，甚至比電壓檔的指標(biāo)還好，這很少見。尤其是2年指標(biāo)11ppm，更是少有。

溫度系數(shù)做的還不錯，2V檔0.2ppm/C，20V檔0.3ppm/C，2k/20k檔0.8ppm/C。

直流電流的指標(biāo)350ppm/a很差，不比2001的400ppm好，34401的還是500ppm/a呢。

交流基本檔200ppm/a，二流水平。

轉(zhuǎn)移特性指標(biāo)做的還不錯，20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。這個指標(biāo)比3458A還差了一倍，但比8508A要好。但是，2002的線性指標(biāo)0.2ppm不高，因此看來轉(zhuǎn)移特性指標(biāo)還是有水分。

噪音特性，NPLC=10下基本檔為0.6uVrms，還不錯，與3458A的0.3uVrms只差一倍。

從測試速度看，這是三款達(dá)到每秒6次的高速8位半之一。另外兩款中，3458實(shí)際測試速度要比指標(biāo)高很多（10倍），而R6581與指標(biāo)相等。2002到底，待測試后就見分曉。

外觀上看，盡管半寬的面板小，但安排的很緊湊，尤其是顯示內(nèi)容豐富，雙排VFD點(diǎn)陣，外加一排狀態(tài)行，與Advantest R6581類似。

多臺收購吉時利2002八位半數(shù)字萬用表

吉時利KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬用表應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率晶體管設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測量標(biāo)準(zhǔn)
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測量挑戰(zhàn)
測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析

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評估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測量
配置分立電阻器驗(yàn)證測試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試
多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試
在運(yùn)行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器

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