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QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 QBT-P
  • 產(chǎn)地 廈門
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/8/22 13:39:41
  • 訪問次數(shù) 1794

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廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門專精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶提供全面的技術(shù)解決方案以及先進的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進制造國產(chǎn)化的痛點,開發(fā)自主設備。

 

 

ALD,PVD,CVD,原子層沉積設備 原子層沉積系統(tǒng)

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 面議
樣品臺尺寸 4寸mm 應用領(lǐng)域 綜合

一、雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)核心參數(shù):  


儀器種類:磁控濺射 

產(chǎn)地類別:國產(chǎn)  

應用領(lǐng)域:微電子學  

基片尺寸:4寸(可定制)  

靶材:鉭  

基片溫度范圍:RT-900oC  

成膜厚度均勻性:基板刻蝕均一性<3%  

極限真空:極限真空UltimatePressure<3E-9Torr  


二、磁控濺射技術(shù)原理:  

在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,并不直接飛向陽極,而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子最終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收,避免高能電子對極板的強烈轟擊,消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在,電子的復雜運動增加了電離率,實現(xiàn)了高速濺射。  


三、雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)特點:  

成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好 


四、售后服務:  

保修期:1年  

是否可延長保修期:否  

現(xiàn)場技術(shù)咨詢:有  

免費培訓:1.設備出廠前,提供至少2人一周的設備原廠培訓。2.設備在現(xiàn)場完成安裝調(diào)試  

免費儀器保養(yǎng):有需要可安排  

保內(nèi)維修承諾:保修期內(nèi)(除天災和人為損害外)部件、元件費用、出差費用均由我司承擔  

報修承諾:質(zhì)保期內(nèi)出現(xiàn)故障時我司將及時響應,并在8小時內(nèi)派技術(shù)人員到現(xiàn)場解決故障;  


五、技術(shù)參數(shù):  

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六、工藝展示:

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