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QBT-T 等離子體原子層沉積

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 QBT-T
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/8/22 13:09:56
  • 訪問次數(shù) 771

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廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門專精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶提供全面的技術(shù)解決方案以及先進的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進制造國產(chǎn)化的痛點,開發(fā)自主設備。

 

 

ALD,PVD,CVD,原子層沉積設備 原子層沉積系統(tǒng)

價格區(qū)間 100萬-200萬 應用領域 綜合

  一、核心參數(shù):

  價格區(qū)間:100萬-200萬

  產(chǎn)地類別:國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

  襯底尺寸:6寸

  工藝溫度:RT-300℃

  前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應氣體,8組液體或固體反應前驅(qū)體

  重量:300KG

  尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

  均勻性:99%

  二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

  三、產(chǎn)品描述:

  廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設備采用雙腔體設計,腔體之間可實現(xiàn)獨立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計,使設備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制,以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的最佳研發(fā)工具之一。

  四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價格、型號、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-T,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

  五、技術(shù)參數(shù):

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