QBT-T 等離子體原子層沉積
- 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 QBT-T
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/8/22 13:09:56
- 訪問次數(shù) 771
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價格區(qū)間 | 100萬-200萬 | 應用領域 | 綜合 |
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一、核心參數(shù):
價格區(qū)間:100萬-200萬
產(chǎn)地類別:國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
襯底尺寸:6寸
工藝溫度:RT-300℃
前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應氣體,8組液體或固體反應前驅(qū)體
重量:300KG
尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm
均勻性:99%
二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
三、產(chǎn)品描述:
廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設備采用雙腔體設計,腔體之間可實現(xiàn)獨立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計,使設備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制,以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的最佳研發(fā)工具之一。
四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價格、型號、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-T,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。
五、技術(shù)參數(shù):