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非標(biāo)定制 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD
- 公司名稱 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 非標(biāo)定制
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2023/11/1 15:12:46
- 訪問次數(shù) 273
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長;采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
設(shè)備用途和功能特點(diǎn)
1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備,主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng),具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)。
3、配置尾氣處理裝置。
設(shè)備安全性設(shè)計(jì)
1、電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)
2、設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能
3、溫度檢測與報(bào)警保護(hù)
4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)
設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
類型 | 參數(shù) |
---|---|
樣片尺寸 | ≤φ8英寸(或3片2英寸) |
樣片加熱臺加熱溫度 | 室溫~ 600℃±0.1℃ |
真空室極限真空 | ≤7×10-5Pa |
工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
設(shè)備總體漏放率 | 停泵12小時(shí)后,真空度≤10Pa |
樣品、電極間距 | 5mm ~ 50mm在線可調(diào) |
工作控制壓強(qiáng) | 10Pa ~ 1500Pa |
氣體控制回路 | 根據(jù)工藝要求配置 |
單頻電源的頻率 | 13.56MHz |
雙頻電源的頻率 | 13.56MHz/400KHz |
工作條件
類型 | 參數(shù) |
---|---|
供電 | 三相五線制 AC 380V |
工作環(huán)境溫度 | 10℃~ 40℃ |
氣體閥門供氣壓力 | 0.5MPa ~ 0.7MPa |
質(zhì)量流量控制器輸入壓力 | 0.05MPa ~ 0.2MPa |
冷卻水循環(huán)量 | 0.6m3/h 水溫18℃~ 25℃ |
設(shè)備總功率 | 7kW |
設(shè)備占地面積 | 2.0m ~ 2.0m |
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD及太陽能薄膜電池設(shè)備
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7