熱絲法化學(xué)氣相沉積CVD金剛石（熱絲CVD金剛石設(shè)備）

鵬城半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實驗型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)?？捎糜诹W(xué)級別、熱學(xué)級別、光學(xué)級別、聲學(xué)級別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。

可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層；環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

工件尺寸

圓形平面工作的尺寸：φ600mm。

矩形工作尺寸的寬度1000mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1500mm）。

配置水冷樣品臺。

可單面鍍膜也可雙面鍍膜。

熱絲電源功率

可達300KW，1KW ～300KW可調(diào)（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設(shè)備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設(shè)置真空檢測與報警保護功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報警保護

-設(shè)置水壓檢測與報警保護裝置

-設(shè)置水流檢測報警裝置

設(shè)備構(gòu)成

真空室構(gòu)成

雙層水冷結(jié)構(gòu)，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調(diào)

熱絲不塌腰（解決了熱絲長時間加熱塌腰的問題）

樣品臺

可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ，由調(diào)速電機控制，可實現(xiàn)自動升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn),上下波動不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度100*%)

CH4(200sccm，濃度100*%)

B2H6（50sccm，H2濃度99%）

Ar(1000sccm，濃度100*%)

真空獲得及測量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團隊，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、離子束濺射鍍膜機、磁控與離了束復(fù)合鍍膜機

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD、ICPECVD、等離子刻蝕機、等離子清洗機

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|太陽能薄膜電池設(shè)備（PECVD+磁控濺射）

團簇式太陽能薄膜電池中試線

|團簇式OLED中試與科研設(shè)備（G1、G2.5）

|其它

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空專用電源

高精度束源爐電源、高能脈沖電源、直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源

團隊部分業(yè)績分布

自主設(shè)計制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計制造磁控濺射與等離子體增強化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

采用熱絲法，設(shè)計制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。還可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）。

設(shè)計制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計的真空機械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設(shè)計制造了OLED有機半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)*材料實驗室。

設(shè)計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

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