少子壽命測試

少子壽命的測量通常包括非平衡載流子的注入和檢測兩個方面，*常用的注入方法是光注入和電注入。對于間接帶隙的半導(dǎo)體，常使用電注入或者微波光電導(dǎo)衰減的方法進(jìn)行少子壽命測試，間接帶隙半導(dǎo)體一般壽命較長， 為毫秒量級。而對于GaAs 這類的直接間隙半導(dǎo)體，復(fù)合的能量幾乎全部以發(fā)光的形式放出，發(fā)光效率高，壽命較短（典型的壽命在10-8-10-9s），通常使用時間分辨光致發(fā)光光譜（TRPL）的方法來進(jìn)行測試。

激光掃描少子壽命成像測量儀SPM900

當(dāng)外界作用停止以后，少子的濃度（ΔC）隨時間t 增長呈指數(shù)衰減的規(guī)律。由以下方程可知，少子的壽命為當(dāng)少子濃度衰減到初始濃度1/e 時候所經(jīng)歷的時間。在輻射復(fù)合中，發(fā)光的強(qiáng)度與少子的濃度相關(guān)，因此可以通過檢測發(fā)光的壽命來獲得少子的壽命信息。

當(dāng)在顯微鏡上加載少子壽命測試模塊，就可以得到微區(qū)下半導(dǎo)體器件的少子壽命分布信息，這對于微小型器件的研究及質(zhì)量控制十分重要。激光掃描少子壽命成像儀基于時間相關(guān)單光子計數(shù)進(jìn)行設(shè)計，包含顯微鏡主體，激光光源，光子計數(shù)檢測器，單色儀以及自動XY 樣品臺等部分。位于顯微鏡上的激光光源用于樣品的激發(fā)，通過控制樣品臺的移動，可以進(jìn)行微區(qū)單點少子壽命測量和少子壽命成像。

少子壽命成像測試應(yīng)用

• 外延ZnS 薄膜半導(dǎo)體

• 本征帶- 淺雜質(zhì)復(fù)合

• 半導(dǎo)體中施主- 受主對復(fù)合

• 深能級復(fù)合

• III-V 族載流子雜質(zhì)俘獲過程研究

• 非輻射中心的電子弛豫及復(fù)合機(jī)制研究

• 半導(dǎo)體外延片缺陷和雜質(zhì)檢測

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測試軟件

測試軟件的界面遵循“All In One”的簡潔設(shè)計思路，用戶可在下圖所示的控制界面中完成采集數(shù)據(jù)的所有步驟：包括控制樣品平移臺移動，通過顯微鏡的明場光學(xué)像定位到合適區(qū)域，框選掃描區(qū)域進(jìn)行掃描，逐點獲得熒光衰減曲線，實時生成熒光圖像等。

數(shù)據(jù)處理界面

功能豐富的熒光壽命數(shù)據(jù)處理軟件，充分挖掘用戶數(shù)據(jù)中的寶貴信息?？勺詣訉呙璜@得的FLIM 數(shù)據(jù)，逐點進(jìn)行多組分熒光壽命擬合（組分?jǐn)?shù)小于等于4），對逐點擬合獲得的熒光強(qiáng)度、熒光壽命等信息生成偽彩色圖像顯示。

3D 顯示功能

少子壽命測試案例

MicroLED 顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級的LED 為發(fā)光像素單元，將其組裝到驅(qū)動面板上形成高密度LED 陣列的顯示技術(shù)， 在發(fā)光亮度、分辨率、對比度、穩(wěn)定性、能量損耗等方面有很大優(yōu)勢，可以應(yīng)用在AR/VR，可穿戴光電器件，柔性顯示屏等領(lǐng)域。由于MicroLED 的尺寸在微米級別，因此需要在顯微鏡下進(jìn)行檢測。下圖為使用少子壽命成像系統(tǒng)對直徑為80 微米的MicroLED 微盤進(jìn)行測試。

單組分?jǐn)M合，可以看到紅圈中的污損位置，雖然影響發(fā)光強(qiáng)度，但對發(fā)光壽命沒有影響

鈣鈦礦測試

鈣鈦礦屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有高光學(xué)吸收，高增益系數(shù)、高缺陷容忍度、帶隙可調(diào)，制備成本低等優(yōu)點，可以廣泛應(yīng)用在光子學(xué)與光電信息功能器件等領(lǐng)域，例如鈣鈦礦太陽能電池，鈣鈦礦量子點，鈣鈦礦LED 等材料的研究。對于鈣鈦礦中的載流子輻射復(fù)合的研究對于提供器件的光電轉(zhuǎn)換性能有很大的幫助。

以下示例為鈣鈦礦樣品的少子輻射復(fù)合發(fā)光成像和壽命成像。圖中可見此鈣鈦礦樣品有兩個壽命組分，且不同壽命組分的相對含量也可以從相對振幅成像圖中很直觀的看到。

晶圓級大尺寸的少子壽命成像測試儀

4、6、8 英寸晶圓樣品測試，可在此基礎(chǔ)上增加小行程電動位移臺實現(xiàn)數(shù)百納米至微米尺度的精細(xì)掃描

參數(shù)指標(biāo)