單晶硅智能防腐法蘭連接電容式差壓變送器適用于下述幾種測控情況：

高溫下粘稠介質(zhì)

易結(jié)晶的介質(zhì)

帶有固體顆?；驊腋∥锏某恋硇越橘|(zhì)

強腐蝕或劇毒性介質(zhì)：可消除導壓管泄漏污染周圍環(huán)境現(xiàn)象的發(fā)生；可免去采用隔離液時，因測量信號的不穩(wěn)定，需要經(jīng)常補充隔離液的繁瑣工作。

連續(xù)測量界面和密度：遠傳裝置可避免不同瞬間介質(zhì)的交混，從而使測量結(jié)果真實地反映過程變化的實際情況。

衛(wèi)生清潔要求很高的場合：如食品、飲料和醫(yī)藥工業(yè)生產(chǎn)中，不僅要求變送器接觸介質(zhì)部位符合衛(wèi)生標準，并且應便于沖洗，以防止不同介質(zhì)交叉污染

單晶硅智能防腐法蘭連接電容式差壓變送器現(xiàn)場校準

1、常規(guī)差壓變送器的校準:

先將阻尼調(diào)至零狀態(tài)，先調(diào)零點，然后加滿度壓力調(diào)滿量程，使輸出為20mA, 在現(xiàn)場調(diào)校講的是快，在此介紹零點、量程的快速調(diào)校法。調(diào)零點時對滿度幾乎沒有影響，但調(diào)滿度時對零點有影響，在不帶遷移時其影響約為量程調(diào)整量的1/5，即量程向上調(diào)整1mA，零點將向上移動約0.2mA,反之亦然。例如:輸入滿量程壓力為100Kpa, 該讀數(shù)為19.900mA, 調(diào)量程電位器使輸出為19.900+（20.000-19.900）×1.25=20.025mA. 量程增加0.125mA，則零點增加1/5×0．125=0.025. 調(diào)零點電位器使輸出為20.000mA. 零點和滿量程調(diào)校正常后，再檢查中間各刻度，看其是否超差?必要時進行微調(diào)。然后進行遷移、線性、阻尼的調(diào)整工作。

2、智能差壓變送器的校準

用上述的常規(guī)方法對智能變送器進行校準是不行的，因為這是由HART變送器結(jié)構(gòu)原理所決定了。因為智能變送器在輸入壓力源和產(chǎn)生的4-20mA電流信號之間，除機械、電路外，還有微處理芯片對輸入數(shù)據(jù)的運算工作，因此調(diào)校與常規(guī)方法有所區(qū)別。實際上廠家對智能變送器的校準也是有說明的，如ABB的變送器，對校準就有：“設(shè)定量程”、“重定量程”、“微調(diào)”之分。其中“設(shè)定量程”操作主要是通過LRV、URV的數(shù)字設(shè)定來完成配置工作，而“重定量程"操作則要求將變送器連接到標準壓力源上，通過一系列指令引導，由變送器直接感應實際壓力并對數(shù)值進行設(shè)置。而量程的初始設(shè)置直接取決于真實的壓力輸入值。但要看到盡管變送器的模擬輸出與所用的輸入值關(guān)系正確，但過程值的數(shù)字讀數(shù)顯示的數(shù)值會略有不同，這可通過微調(diào)項來進行校準。由于各部分既要單獨調(diào)校又必需要聯(lián)調(diào)，因此實際校準時可按以下步驟進行：

1、先做一次4-20mA微調(diào)，用以校正變送器內(nèi)部的D/A轉(zhuǎn)換器，由于其不涉及傳感部件，無需外部壓力信號源。

2、再做一次全程微調(diào)，使4-20mA、數(shù)字讀數(shù)與實際施加的壓力信號相吻合，因此需要壓力信號源。

3、 做重定量程，通過調(diào)整使模擬輸出4-20mA與外加的壓力信號源相吻合，其作用與變送器外殼上的調(diào)零（Z）、調(diào)量程（R）開關(guān)的作用*相同。