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美國(guó)Laurell濕法刻蝕顯影機(jī) EDC-650Mz-8NPP

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勻膠顯影機(jī)(英文名:Developing)
產(chǎn)地:美國(guó)

美國(guó)Laurell濕法刻蝕顯影機(jī) EDC-650Mz-8NPP(圖1)

一、產(chǎn)品概述:
   650型勻膠顯影機(jī)適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料、硅片、晶片、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機(jī)由動(dòng)力系統(tǒng)、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。


二、勻膠顯影機(jī)工作原理:
顯影系統(tǒng)具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進(jìn)行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮?dú)猓┑茸詈蟮奶幚聿襟E。采用此序貫閥門(mén)技術(shù)的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開(kāi)通和關(guān)閉處理過(guò)程。隔離和獨(dú)立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。勻膠顯影機(jī)還有可選擇的動(dòng)態(tài)線(xiàn)性或徑向滴膠的特性。


三、勻膠顯影機(jī)主要性能指標(biāo):    
1、腔體尺寸:12.5英寸 (318 毫米);
2、Wafer&芯片:直徑8英寸(200毫米)的晶圓片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
3、非真空托盤(pán):聚丙烯材質(zhì)非真空托盤(pán),可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
3、轉(zhuǎn)動(dòng)速度:0-12,000rpm,
5、馬達(dá)旋涂轉(zhuǎn)速:穩(wěn)定性能誤差 < ±1%;
6、工藝時(shí)間設(shè)定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度數(shù)碼控制器:PLC控制,設(shè)置點(diǎn)精度小于0.006%;
8、程序控制:可存儲(chǔ)20個(gè)程序段,每個(gè)程序段可以設(shè)置51步不同的速度狀態(tài);
9、分辨率:分辨率小于0.5轉(zhuǎn)/分,可重復(fù)性小于±0.5轉(zhuǎn)/分,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(NIST)認(rèn)證過(guò)的,并且無(wú)需再校準(zhǔn)!]
10、腔體開(kāi)關(guān)蓋板:透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板,便于實(shí)時(shí)進(jìn)行可視化操作;
11、腔體材質(zhì)說(shuō)明:用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動(dòng)傳感觸點(diǎn)的合瓣式艙體;
12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
13、配套真空泵系統(tǒng):無(wú)油型 220~240伏交流,50/60赫茲;


四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
光刻膠顯影(KrF/ArF)
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理





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