原理：在傳統(tǒng)的電穿孔技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)新型電轉(zhuǎn)程序和優(yōu)化的電轉(zhuǎn)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆?xì)胞、傳代細(xì)胞、離體的組織或器官、或活體動(dòng)物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細(xì)菌、酵母、植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化。

　　特點(diǎn)：預(yù)存、導(dǎo)入protocol儀器內(nèi)預(yù)存常規(guī)實(shí)驗(yàn)細(xì)胞的protocol，方便用戶的實(shí)驗(yàn)操作；并可通過(guò)電腦控制實(shí)現(xiàn)BTX專(zhuān)業(yè)protocol庫(kù)的下載，存儲(chǔ)到儀器內(nèi)部進(jìn)行調(diào)用。

　　雙波形電穿孔系統(tǒng)，任一波形調(diào)用，不再是簡(jiǎn)單的疊加，同一儀器內(nèi)，突破方波、指數(shù)衰減波的相互干擾，實(shí)現(xiàn)方波、指數(shù)衰減波的整合。

　　測(cè)量電阻值：電阻值的測(cè)量是電擊過(guò)程中理化環(huán)境的指標(biāo)，細(xì)胞轉(zhuǎn)化、轉(zhuǎn)染，指示緩沖液離子濃度合適，避免爆杯、細(xì)胞擊穿；活體電擊，指示實(shí)驗(yàn)部位的理化特征，保證實(shí)驗(yàn)重復(fù)性。

　　安全性能：電弧淬滅功能，使由電弧引起的損害降至；電阻值測(cè)量，警示使用過(guò)程中對(duì)儀器的外部損傷；短路保護(hù)，避免脈沖發(fā)生器遇到短路時(shí)被損壞。

      兼容性

　　BTX各種電穿孔電極，BTXMOS96孔板電穿孔系統(tǒng)，腳踏開(kāi)關(guān)，電腦控制。

　　l產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于體外電極杯/96微孔板，活體體內(nèi)，子宮內(nèi)胚胎、卵內(nèi)胚胎和貼壁細(xì)胞。

　　lGeminiX2電穿孔儀將方波和指數(shù)衰減波結(jié)合。

　　l配合BTX的各種專(zhuān)業(yè)電極，輕松應(yīng)對(duì)各種電穿孔實(shí)驗(yàn)需求。

　　l懸浮細(xì)胞放置于電極杯或96微孔板中完成電穿孔。

　　l活體體內(nèi)/離體、子宮內(nèi)胚胎、貼壁細(xì)胞可通過(guò)BTX專(zhuān)業(yè)電極完成電穿孔實(shí)驗(yàn)。

　　lGeminiX2配置腳踏板開(kāi)關(guān)和電腦操控，且內(nèi)置常規(guī)實(shí)驗(yàn)參數(shù)。

　　lProtocol預(yù)存和下載功能，為您提供佳實(shí)驗(yàn)優(yōu)化方案，實(shí)驗(yàn)品質(zhì)控制和故障排除。

　　1.原理：在傳統(tǒng)的電穿孔技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)新型電轉(zhuǎn)程序和優(yōu)化的電轉(zhuǎn)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆?xì)胞、傳代細(xì)胞、離體的組織或器官、或活體動(dòng)物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細(xì)菌、酵母、植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化。

　　2.技術(shù)參數(shù)

　　2.1預(yù)存、導(dǎo)入protocol:儀器內(nèi)預(yù)存常規(guī)實(shí)驗(yàn)細(xì)胞的protocol，方便用戶的實(shí)驗(yàn)操作；并可通過(guò)電腦控制實(shí)現(xiàn)BTX專(zhuān)業(yè)protocol庫(kù)的下載，存儲(chǔ)到儀器內(nèi)部進(jìn)行調(diào)用

　　2.2雙波形電穿孔系統(tǒng)：雙波形電穿孔系統(tǒng)，任一波形調(diào)用，不再是簡(jiǎn)單的疊加，同一儀器內(nèi)，突破方波、指數(shù)衰減波的相互干擾，實(shí)現(xiàn)方波、指數(shù)衰減波的整合。

　　2.3測(cè)量電阻值:電阻值的測(cè)量是電擊過(guò)程中理化環(huán)境的指標(biāo)，細(xì)胞轉(zhuǎn)化、轉(zhuǎn)染，指示緩沖液離子濃度合適，避免爆杯、細(xì)胞擊穿；活體電擊，指示實(shí)驗(yàn)部位的理化特征，保證實(shí)驗(yàn)重復(fù)性

　　2.4安全性能:電弧淬滅功能，使由電弧引起的損害降至；電阻值測(cè)量，警示使用過(guò)程中對(duì)儀器的外部損傷；短路保護(hù)，避免脈沖發(fā)生器遇到短路時(shí)被損

　　2.5不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆?xì)胞、傳代細(xì)胞、離體的組織或器官、或活體動(dòng)物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細(xì)菌、酵母、植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化。

　　2.6可選配各種專(zhuān)業(yè)電極，腳踏開(kāi)關(guān)，并可通過(guò)電腦控制。同時(shí)可選配BTXMOS96孔板高通量電穿孔系統(tǒng)，對(duì)96孔微孔板同時(shí)進(jìn)行轉(zhuǎn)染。

　　2.7用戶界面：高分辨率觸摸屏，簡(jiǎn)單快捷。

　　2.8方波

　　2.8.1電壓：LV：5-500V/1V增量；HV：505V-3000V/5V增量；

　　2.8.2脈沖時(shí)間:LV：10μs-999μs/1μs增量，1ms-999ms/1ms增量；HV：10μs-600μs/1μs增量；

　　2.8.3脈沖次數(shù):單樣本1-99個(gè)；多樣本（HTplatehandlermode）1-10個(gè)，多120個(gè)樣本；

　　2.8.4脈沖間隔時(shí)間：0.1-10s；

　　2.8.5電容:LV：3775μF；HV：85μF；

　　2.9指數(shù)衰減波；

　　2.9.1電壓:LV：5-500V/1V增量；HV：505V-3000V/5V增量；

　　2.9.2脈沖時(shí)間:LV：1ms-5.158s;HV：0.5ms-133.875ms；

　　2.9.3脈沖次數(shù):1-12次（電阻＜100Ω）;1-24次（電阻＞100Ω），脈沖間隔5-30s；

　　2.9.4電容:LV：25-3275μF/25μF增量；HV：10，25，35，50，60，75，85μF；

　　2.9.5電阻:LV：25-1575Ω/25Ω增量；HV：50-1575Ω/25Ω增量；