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飛納臺(tái)式場發(fā)射掃描電鏡 Phenom Pharos G2

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復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司(簡稱“復(fù)納科技”)于 2012 年在上海成立,聚焦荷蘭飛納臺(tái)式掃描電鏡在中國市場的推廣和應(yīng)用,涵蓋領(lǐng)域包括材料、鋰電新能源、半導(dǎo)體、生命科學(xué)和法醫(yī)檢測等。

截止目前,復(fù)納科技服務(wù)超過 2000 家飛納電鏡客戶和 100 家相關(guān)產(chǎn)品客戶,包括:清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、華南理工大學(xué)和中科院系統(tǒng)等高校科研單位;巴斯夫、寧德時(shí)代、微軟、默克和出入境檢驗(yàn)局等企事業(yè)單位。

2017 年開始,復(fù)納科技陸續(xù)與 7 家行業(yè)品牌建立了長期合作,致力于為中國高校、研究所、企業(yè)和政府用戶提供先進(jìn)可靠、高效智能的科學(xué)分析儀器、優(yōu)質(zhì)專業(yè)的服務(wù)和基于核心技術(shù)的解決方案。目前已引進(jìn)先進(jìn)的:DENSsolutions TEM原位樣品桿,飛納臺(tái)式掃描電鏡,NEOSCAN臺(tái)式高分辨顯微 CT,F(xiàn)orgeNano原子層沉積、 Technoorg Linda SEM/TEM樣品制備和VSParticle 納米氣溶膠沉積等設(shè)備。

十年以來,復(fù)納科技賦能中國科研創(chuàng)新、工業(yè)升級(jí),人工智能檢測的使命也越來越清晰。

 

 

 

 

臺(tái)式掃描電鏡,SEM / TEM 樣品制備,ALD 原子層沉積,TEM 原位樣品桿,X 射線顯微 CT

背散射電子圖像分辨率 1.5nm 產(chǎn)地類別 進(jìn)口
二次電子圖象分辨率 1.5nmnm 放大倍數(shù) 2,000,000x
加速電壓 1kV-20kVkV 價(jià)格區(qū)間 250萬-300萬
儀器種類 熱場發(fā)射 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,建材,電子,冶金,制藥

Phenom Pharos G2 —— 性能*的飛納臺(tái)式場發(fā)射掃描電鏡

荷蘭飛納公司推出第二代肖特基場發(fā)射電子源臺(tái)式掃描電鏡 Phenom Pharos G2, 集背散射電子成像、二次電子成像和能譜分析功能于一體。高亮度肖特基場發(fā)射電子源,使用戶可以輕松獲得高分辨率圖像,且低電壓性能優(yōu)異。Phenom Pharos G2 低電壓成像優(yōu)勢明顯,可減輕電子束對樣品的損傷和穿透,更好地觀測絕緣和電子束敏感的樣品,可以還原樣品真實(shí)形貌。



pharos G2.png


Phenom Pharos G2 —— 電鏡能譜一體化設(shè)計(jì)

Phenom Pharos 飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡采用熱場發(fā)射電子源,信噪比高,使用壽命長,保證長期穩(wěn)定的性能。飛納臺(tái)式場發(fā)射掃描電鏡能譜一體機(jī)標(biāo)配背散射電子成像、二次電子電子成像和能譜分析功能,可對各種樣品進(jìn)行高分辨成像及元素分析。



飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡的技術(shù)優(yōu)勢

• 分辨率優(yōu)于 1.5 nm

• 低電壓下可得到高分辨樣品的圖像,表面細(xì)節(jié)豐富

• 彩色光學(xué)顯微鏡全景導(dǎo)航

• 集成全自動(dòng)馬達(dá)樣品臺(tái)

• 操作簡單,培訓(xùn) 30 分鐘即可上手

• 內(nèi)置真空鎖,15 秒抽真空

• 無需噴金,直接觀察不導(dǎo)電樣品

• 電子束流大,穩(wěn)定,能譜分析效率高

• 內(nèi)置 27 組獨(dú)立減震單元,*防震

• 電子光路免維護(hù)



維護(hù)成本低

飛納電鏡系列產(chǎn)品性能穩(wěn)定,可以長時(shí)間工作,自動(dòng)化程度高,大量節(jié)省了人力成本。飛納臺(tái)式場發(fā)射掃描電鏡的燈絲使用穩(wěn)定,壽命長,電子光路免維護(hù),后期維護(hù)簡單。飛納電鏡系列產(chǎn)品加入了硬件防護(hù)設(shè)計(jì),杜絕人為操作不當(dāng)引起設(shè)備故障;同時(shí),提供免費(fèi)的遠(yuǎn)程聯(lián)網(wǎng)檢測,實(shí)時(shí)維護(hù)您的電鏡。






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