GDAT-A 絕緣材料介電常數(shù)介質損耗測試儀
參考價 | ¥ 20000 |
訂貨量 | ≥1 個 |
- 公司名稱 北京北廣精儀儀器設備有限公司
- 品牌 北廣精儀
- 型號 GDAT-A
- 產(chǎn)地
- 廠商性質 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/7/15 11:54:13
- 訪問次數(shù) 1041
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價格區(qū)間 | 1萬-2萬 | 應用領域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
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絕緣材料介電常數(shù)介質損耗測試儀在主機電感端子上插上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈(本公司 主機配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),如:1MHz 時電感取100uH,15MHz時電感取1.5uH。
絕緣材料介電常數(shù)介質損耗測試儀
C1 | 材料拿出后,諧振時測得的電容值 |
C2 | 材料在夾具中,諧振時測得的電容值 |
Q1 | 材料拿出后,諧振時測得的Q值 |
Q2 | 材料在夾具中,諧振時測得的Q值 |
CZ | 主機+測試夾具測得的結構電容值 |
CL | 標準電感的分布電容值 |
C0 | 結構電容值+電感的分布電容值 |
D2 | 材料的厚度 |
tn | 介質損耗系數(shù)/介質損耗正切值 |
被測樣品要求為圓形,直徑50.4--52mm/38.4--40mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1--5mm之間,樣品太薄或太厚就會使測試精度下降,樣品要盡可能平直。
滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法
概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
測試原理
采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
本測試裝置是由二只測微電容器組成,平板電容器一般用來夾持被測樣品,園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時,由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
儀器的技術指標
1.Q值測量范圍:2~1023
2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;
3.電感測量范圍:自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個電感組成。
4.電容直接測量范圍:1~460pF
5.主電容調節(jié)范圍: 30~500pF
6.電容準確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 7.信號源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz (雙頻對向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz
8、型號頻率指示誤差:1*10-6 ±1
Q值合格指示預置功能范圍:5~1000
Q值自動鎖定,無需人工搜索
9.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
10.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
主機C0值的計算方式:
選一個適當?shù)闹C振電感接到“Lx”的兩端;
將調諧電容器調到200P左右,令這個電容是C4,
按下儀器面板的頻率搜索鍵,使測試回路諧振,諧振時Q的讀數(shù)為Q4(注:若頻率搜索未能找到zui高Q值諧振點,可以通過頻率旋鈕來微調頻率來達到Q值大值的諧振點;
將測試夾具接在“Cx”兩端,放入材料,上下極片夾緊材料后記住夾具顯示值,然后拿出材料,調回到夾具的顯示數(shù)值,調節(jié)主調電容,使測試電路重新諧振,此時可變電容器值為C3,Q值讀數(shù)為Q3。(注:C3數(shù)值肯定比C4要小)
機構電容的有效電容為:Cz= C4-C3