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FPSEM-ICP200D 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
- 公司名稱 孚光精儀(中國(guó))有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) FPSEM-ICP200D
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/8/1 10:46:32
- 訪問次數(shù) 775
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)等離子體化學(xué)氣相沉積PECVD化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術(shù)專業(yè)為介質(zhì)膜鍍膜設(shè)計(jì)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng),改進(jìn)了較小的反應(yīng)堆體積,可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性,并減少泵送時(shí)間。
由于可以方便地訪問所有內(nèi)部組件,因此
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的日常維護(hù)變得更加容易。特殊的底電極設(shè)計(jì),為PECVD提供了紅外高溫計(jì)精確的晶片加熱控制。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)等離子體產(chǎn)生采用帶自動(dòng)匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺(tái)電極上,在這里可以施加高達(dá)600W的RF(13,56 MHz)或LF(300÷500 kHz)偏置電壓。在ICP模式下,在加熱臺(tái)上使用低頻電勢(shì),確保了在沉積過程中調(diào)節(jié)介質(zhì)膜張力的額外可能性。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應(yīng)器中的極限壓力:<5×10
-6Torr
一次性處理晶圓數(shù)量::7個(gè)@2'', 4個(gè)@3'', 1個(gè)×∅200mm, 1個(gè)@∅150mm 1個(gè)@∅100mm
ICP發(fā)生器最大功率:1200W @13.56MHz
離子束粒(離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度: 可選配
蝕刻不均性:+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm)
過程:自動(dòng)化把晶圓轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。
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