IM4000 Plus Hitachi離子研磨儀
- 公司名稱 似空科學(xué)儀器(上海)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 IM4000 Plus
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2023/5/24 9:51:40
- 訪問次數(shù) 2337
聯(lián)系方式:楊經(jīng)理13917975482 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 出料粒度 | 0.01mm以下 |
---|---|---|---|
價格區(qū)間 | 面議 | 樣品適用 | 硬性樣品 |
儀器種類 | 研磨機(jī) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
Hitachi離子研磨儀特點(diǎn)
高通量的斷面研磨配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出斷面樣品。 *2 在加速電壓6 kV下,將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時時的最大深度
| |
Hitachi離子研磨儀斷面研磨● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料,也可以制備出平滑的斷面樣品 ● 優(yōu)化加工條件,減輕損傷 ● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品 斷面研磨的主要用途● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面 ● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面 ● 制備評價、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面 | 斷面研磨加工原理圖 |
平面研磨(Flat Milling®)● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍 ● 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域 ● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品 ● 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(±60度~±90度的翻轉(zhuǎn))2種加工方法
平面研磨(Flat Milling®)的主要用途● 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變 ● 去除樣品的表層 ● 消除FIB加工的損傷
|
平面研磨(Flat Milling®)加工原理圖 |
與日立SEM的樣品結(jié)合● 樣品無需從樣品臺取下,就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。 ● 在抽出式的日立SEM上,可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿,因此,在SEM上觀察之后,可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。
|
功能
冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1
|
該功能可有效防止加工過程中,由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升,所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產(chǎn)生開裂的樣品,通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。
*1 此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能,而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。 |
樣品:鉛焊料 | |
|
|
選項(xiàng)大氣隔離樣品桿大氣隔離樣品桿,可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。 *1 僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。 *2 僅支持真空型日立AFM。 鋰離子電池負(fù)極(充電后) | |
大氣暴露 | 大氣隔離 |
用于加工時觀察的立體顯微鏡IM4000、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡,可觀察到研磨過程中的樣品。 *3 CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶準(zhǔn)備。
| |
| |
規(guī)格 |
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
斷面研磨桿 | 平面研磨桿 | |
使用氣體 | Ar(氬)氣 | |
加速電壓 | 0 ~ 6 kV | |
最大研磨速度(Si材料) | 500 µm/hr*1 以上 | - |
最大樣品尺寸 | 20(W)× 12(D)× 7(H)mm | Φ50 × 25(H) mm |
離子束 | 標(biāo)配 | |
尺寸 | 616(W)× 705(D)× 312(H)mm | |
重量 | 機(jī)體48 kg+回轉(zhuǎn)泵28 kg | |
附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS | ||
冷卻溫度調(diào)節(jié)功能 | 通過液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍:0°C ~ -100°C | |
選項(xiàng) | ||
空氣隔離 | 僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器 | - |
FP版斷面研磨夾持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
用于加工監(jiān)控的顯微鏡 | 倍率 15 × ~ 100 × 雙目型、三目型(支持CCD) |
*1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時的最大深度 *2 千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時的遮擋板移動量。斷面研磨夾持器比為1/5 |
觀察示例
斷面研磨如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器,則可以3小時內(nèi)制備出平滑的斷面。 樣品:陶瓷電容器 | |
低倍圖像 | 放大圖像 |
即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料,也可以制備斷面。 樣品:保險杠涂膜 | |
低倍圖像 | 放大圖像 |
這是通過鋰電池正極材料,斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。 樣品:鋰離子電池正極材料 樣品制備方法:斷面研磨
平面研磨(Flat Milling)可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊,并可觀察到金屬層、合金層和無鉛焊料的Ag分布。 樣品:無鉛焊料 | |
機(jī)械研磨后 | 平面研磨后 |
因老化等變得臟污的觀察面、分析面,通過平面研磨,也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。 樣品:銅墊片 |