離子污染度測(cè)試儀
- 公司名稱 武漢賽斯特精密儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 武漢市江岸區(qū)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2021/6/22 15:34:51
- 訪問(wèn)次數(shù) 432
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實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)儀器，測(cè)試儀器設(shè)備等
| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子 |
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離子污染度測(cè)試儀
▲總述
本設(shè)備為兩室真空系統(tǒng)。其中一室為進(jìn)樣取樣室，另一室為刻蝕室。進(jìn)樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖，進(jìn)樣取樣采用機(jī)械手運(yùn)送。
本設(shè)備主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)，冷卻系統(tǒng)、送取片機(jī)構(gòu)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。
▲真空系統(tǒng)
本系統(tǒng)由一個(gè)抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵組成抽氣系統(tǒng), 將刻蝕室抽至高真空, 分子泵與刻蝕室之間裝有壓力調(diào)節(jié)閥電插板閥, 機(jī)械泵為刻蝕室予抽泵及分子泵前級(jí)泵。用另一個(gè)抽速9升/秒機(jī)械泵將進(jìn)取樣室抽至真空狀態(tài)。 機(jī)械泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼波紋管連接, 并裝有電磁氣動(dòng)隔斷閥。
▲恒壓控制系統(tǒng)
本設(shè)備配有下游恒壓控制系統(tǒng)，在抽氣管路裝有一電動(dòng)可調(diào)節(jié)閥，通過(guò)薄膜規(guī)測(cè)量（進(jìn)口件），可調(diào)節(jié)閥控制，使真空室達(dá)到恒壓,從而提高工藝穩(wěn)定性。
▲射頻電源系統(tǒng)
采用射頻電源兩套，帶自動(dòng)動(dòng)匹配。
▲氣路系統(tǒng)
由4個(gè)質(zhì)量流量控制器控制4路氣體進(jìn)氣。氣體管路均采用1/4英寸不銹鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。質(zhì)量流量控制器采用美國(guó)技術(shù),氣路閥門、管路等采用進(jìn)口件。
▲控制系統(tǒng)
采用工控機(jī)及PLC控制，通過(guò)觸摸屏設(shè)置參數(shù)及顯示測(cè)量值、狀態(tài)等，實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過(guò)程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。
▲報(bào)警系統(tǒng)：設(shè)備所需安全要求。
二. 主要技術(shù)指標(biāo)
1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內(nèi)濕度≤55%)
進(jìn)樣取樣室6.0×10-1 Pa
2. 刻蝕材料: Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、深刻硅等
3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min
4. 刻蝕均勻性: ≤±5％(φ125mm范圍內(nèi))；
5. 電極尺寸: φ200mm
三．設(shè)備基本配置
1. 真空泵源: 抽速600升/秒分子泵一臺(tái)
抽速9升/秒機(jī)械泵二臺(tái)
2. 射頻功率源: RF 500W射頻電源及自動(dòng)匹配器一套
RF 1000W射頻電源及自動(dòng)匹配器一套
3. 氣路系統(tǒng): 4臺(tái)質(zhì)量流量計(jì)控制四路進(jìn)氣（七星華創(chuàng)）
(管件閥門：進(jìn)口)
4. 真空測(cè)量： 復(fù)合真空計(jì)一臺(tái)
5．恒壓系統(tǒng)： 薄膜規(guī)一個(gè)(進(jìn)口)
可調(diào)節(jié)閥一套
6. 自動(dòng)控制系統(tǒng)一套（含工控機(jī)，PLC控制器，17〞觸摸顯示屏、 驅(qū)動(dòng)電路等）
離子污染度測(cè)試儀
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