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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

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離子源考夫曼離子源射頻離子源

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供貨周期 一個(gè)月以上

KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中常用方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法為常見. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時(shí), 材料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時(shí)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3%. 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
<strong>KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備</strong>
<strong>KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備</strong>
----------- 金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System ----------

KRI 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽(yáng)極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 陽(yáng)極

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直徑

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

燈絲


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上海伯東: 羅先生    




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