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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實驗室常用設備>制樣/消解設備>離子濺射儀> Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C

具體成交價以合同協(xié)議為準

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上海伯東是德國 Pfeiffer  真空設備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機, 比利時 Europlasma 等離子表面處理機 和美國 Ambrell 感應加熱設備等進口品牌代理商 .我們真誠期待與您的合作!




質譜分析儀,氦質譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

產(chǎn)地類別 進口 價格區(qū)間 面議
應用領域 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,建材,電子

上海伯東日本*適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

Hakuto 離子蝕刻機 IBE 主要優(yōu)點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C技術參數(shù):

離子蝕刻機

φ4 inch X 6片

基板尺寸

< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片

NS 離子刻蝕機 可選

樣品臺

樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉

離子源

20cm 考夫曼離子源

均勻性

±5% for 8”Ф

硅片刻蝕率

20 nm/min

溫度

<100

 

 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 組成:
NS 離子蝕刻機

 Hakuto 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
NS離子蝕刻機



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