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原裝有源線路電源模塊6SL3130-7TE21-6AA4

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 5西門(mén)子SIMATIC人機(jī)界面(HMI)
       OP, MP, TP系列
 6西門(mén)子變頻器
     6SE70系列,MM420,430,440系列
7 從事電氣自動(dòng)化工程改造,工控系統(tǒng)及生產(chǎn)流水線設(shè)備改造,維護(hù),維修等

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(5) Siemens SIMATIC human machine interface (HMI)

OP, MP, TP series

(6) Siemens frequency converter

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(7) Engaged in electrical automation engineering transformation, industrial system and production line equipment transformation, maintenance, repair, etc





西門(mén)子數(shù)控系統(tǒng)系列產(chǎn)品

原裝有源線路電源模塊6SL3130-7TE21-6AA4 原裝有源線路電源模塊6SL3130-7TE21-6AA4 
SINAMICS S120 Active Line Module 輸入:3AC 380-480V,50/60Hz 輸出:600V DC,27A,16kW 結(jié)構(gòu)形式:書(shū)本尺寸 內(nèi)部風(fēng)冷 包括 Drive-CLiQ 導(dǎo)線 

 

芯片MAX5969BVDD是電源引腳,VDDVSS之間接有0.1uF的電容用來(lái)旁路,電容C7C13用來(lái)儲(chǔ)能和濾波。

DET接一個(gè)24.9K的電阻到Vin,這個(gè)電阻是特征電阻不可更改,要是把這個(gè)電阻的阻值改變了,POE電源工作會(huì)不正常。

VSS引腳是接輸入整流過(guò)后的地端,VSS內(nèi)部通過(guò)MOSFET管和變壓器原邊的接地端相連。當(dāng)芯片處于檢測(cè)與分級(jí)階段時(shí)候,內(nèi)部MOSFET處于斷開(kāi)的狀態(tài)。

RTN引腳接變壓器原邊的地端,是后繼DC-DC的功率地端。

WAD引腳是用來(lái)接墻上適配器電源供電,本模塊的POE電源沒(méi)有用上墻上適配器,但是在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候也考慮到了,只是沒(méi)有焊接相關(guān)器件。

PG引腳內(nèi)部是MOSFET漏極輸出,在芯片內(nèi)部的MOSFET*開(kāi)啟之前,PG保持為低電平,PG端接MAX5974A的使能端,故PG在保持低電平期間,MAX5974A是處于不工作狀態(tài)。PG外接1nF的電容旁路。

2EC引腳是2級(jí)事件檢測(cè)腳,本模塊沒(méi)有用上直接上拉100K電阻到RTN,以防PD設(shè)備處于2級(jí)狀態(tài)時(shí),2EC引腳有一個(gè)回路。

CLS引腳是分級(jí)電阻輸入引腳,CLS引腳接多大電阻到VSS地端,就決定了POE電源是處于哪一級(jí)。可查看數(shù)據(jù)手冊(cè)知當(dāng)接30.9歐姆電阻時(shí),PD設(shè)備設(shè)置為4級(jí)電路狀態(tài),也就是說(shuō)PD設(shè)備要消耗12.95-25.5W的功率。

芯片MAX5974A是一款電源管理芯片,芯片內(nèi)部集成了許多功能,只要根據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)推薦的外圍電路搭建方法,只需簡(jiǎn)單的配置些電容和電阻很快就可以設(shè)計(jì)出一塊電源模塊。接下來(lái)將介紹芯片每個(gè)引腳外圍電路的搭建,來(lái)更好的理解芯片以及反激式開(kāi)關(guān)電源。

DT引腳是用來(lái)設(shè)置死區(qū)時(shí)間的,由于MAX5974A這款芯片提供了兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出,一個(gè)是NDRV主開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出,是用來(lái)驅(qū)動(dòng)變壓器原邊是處于斷開(kāi)狀態(tài)還是出來(lái)接通狀態(tài)。一個(gè)是AUXDRV是用來(lái)給變壓器副邊開(kāi)關(guān)管實(shí)現(xiàn)同步整流的驅(qū)動(dòng)信號(hào),由于變壓器原邊開(kāi)關(guān)管和變壓器副邊開(kāi)關(guān)管不能夠同時(shí)開(kāi)啟,盡管NDRVAUXDRV是互補(bǔ)輸出的,但是由于開(kāi)關(guān)管本身的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程不理想,在開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)候有一定的時(shí)間延遲,故此需要添加一定的死區(qū)時(shí)間。死區(qū)時(shí)間設(shè)置時(shí)間在40ns400ns之間,死區(qū)時(shí)間的設(shè)置是通過(guò)外接一個(gè)電阻到RTN地端,具體多大的電阻設(shè)置多長(zhǎng)的死區(qū)時(shí)間,可通過(guò)如下公式得到:

本模塊選擇=27KW,死區(qū)時(shí)間就為108ns,對(duì)于這個(gè)死區(qū)時(shí)間已經(jīng)足夠了,因?yàn)楸敬问褂玫?/span>MOSFET的延遲時(shí)間都在40ns以?xún)?nèi)。

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