化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)用儀器>薄膜生長(zhǎng)設(shè)備>原子層沉積設(shè)備>SOMIS&S12000/V-A ALD
SOMIS&S12000/V-A ALD
| 參考價(jià) | ￥ 1000000 |
| 訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱(chēng) 無(wú)錫松煜科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) SOMIS&S12000/V-A
- 產(chǎn)地 無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道工業(yè)園區(qū)振發(fā)二路16號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2020/6/19 14:09:40
- 訪問(wèn)次數(shù) 523
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ALD,管式三合一PECVD,管式PECVD,LPCVD,低壓擴(kuò)散爐，硼擴(kuò)散一體爐，碳納米管合成爐，立式爐，真空熱處理爐等真空熱工設(shè)備
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 100萬(wàn)-200萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,電氣,綜合 |
原子層淀積系統(tǒng)可生長(zhǎng)品質(zhì)優(yōu)異的薄膜，設(shè)備*，穩(wěn)定可靠。應(yīng)用實(shí)例：高K柵氧化層，存儲(chǔ)容性電介質(zhì)，銅互連中高深寬比擴(kuò)散阻擋層，OLED無(wú)針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜，特種光纖摻雜，太陽(yáng)能電池，平板顯示器，光學(xué)薄膜，其它各類(lèi)特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
*的軟件控制系統(tǒng)：系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報(bào)警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
支持多種制程工藝路線
設(shè)備占地空間小
設(shè)備產(chǎn)能高
機(jī)臺(tái)保養(yǎng)維修方便，維護(hù)周期長(zhǎng)，半年以上
設(shè)備成膜質(zhì)量好，致密均勻度好
設(shè)備耗電量小
設(shè)備穩(wěn)定性高，機(jī)械運(yùn)動(dòng)少，設(shè)備運(yùn)行更穩(wěn)定可靠
尾氣已預(yù)處理
設(shè)備對(duì)干泵采取了必要措施保護(hù)，泵的維護(hù)周期更長(zhǎng)
主要技術(shù)指標(biāo)
基片加熱溫度：室溫-500℃，控制精度： ±0.1℃
ALD閥：swagelok快速高溫ALD閥
生長(zhǎng)模式：連續(xù)高速沉積模式
控制系統(tǒng)：PLC+工控機(jī)
電源：50-60Hz，380V
沉積不均勻性：不均勻性<±1%；片間不均勻性<±1.5%
可沉積薄膜種類(lèi)
單質(zhì)：Co，Cu，Ta，Ti，W，Ge，Pt，Ru，Ni，F(xiàn)e…
氮化物：TiO2，HfO2，SiO2，ZnO，ZrO2，Al2O3，La2O3，SnO2…
其他化合物：GaAs，AIP，InP，GaP，InAs，LaHfxOy，SrTiO3，SrTaO6…
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