ST-DC2000 X 系列半導(dǎo)體特性測(cè)試儀
- 公司名稱(chēng) 西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) ST-DC2000
- 產(chǎn)地 西安
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2021/11/5 16:26:10
- 訪問(wèn)次數(shù) 421
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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)|IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀|IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀| 功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)|高溫反偏差測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 10萬(wàn)-30萬(wàn) |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
ST-DC2000_X 系列半導(dǎo)體特性測(cè)試儀
可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 的大中小功率的半導(dǎo)體分立器件及模塊的靜態(tài)直流參數(shù),(測(cè)試范圍包括Si(硅)/SiC(碳化硅)/GaN(氮化鎵)材料的IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件)
高壓源2000V ,大電流源 50~1250A,分辨率高至1mV / 10pA
提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口,可支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用
支持曲線掃描圖示功能,029/8730/9001垂詢
產(chǎn)品介紹
ST-DC2000_X 系列半導(dǎo)體特性測(cè)試儀作為我公司研發(fā)生產(chǎn)的一款經(jīng)典產(chǎn)品,擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座,自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過(guò)功能按鍵,系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。
曲線追蹤儀(晶體管圖示儀)功能則是利用高速ATE測(cè)試步驟逐點(diǎn)生成曲線,可快速而準(zhǔn)確地生成清晰的數(shù)據(jù)點(diǎn)。數(shù)據(jù)增量是可編程的線性或?qū)?shù),典型的每步測(cè)試時(shí)間為6到20ms。一個(gè)兩百條數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線通常只需幾秒鐘就能完成。使用該系列跟蹤儀更容易獲取諸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲線數(shù)據(jù)。此外, 針對(duì)多條曲線,設(shè)備可以根據(jù)每條曲線的數(shù)據(jù)運(yùn)行并將所獲數(shù)據(jù)自動(dòng)發(fā)送到一個(gè)單獨(dú)的 Excel 工作表。系統(tǒng)能夠更快,更簡(jiǎn)潔的創(chuàng)建曲線(單擊,雙擊,選擇輸入菜單,單擊)。就是這么簡(jiǎn)單。
支持在單個(gè) DUT 上運(yùn)行高達(dá) 10 條不同曲線的能力,在運(yùn)行過(guò)程中,每個(gè)圖表都是可視的,每個(gè)數(shù)據(jù)集都被加載到一個(gè)被命名的 Excel 工作表中。系統(tǒng)運(yùn)行速度快,可進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄,提供更高級(jí)的數(shù)據(jù)工具箱,能夠運(yùn)行多條曲線并自動(dòng)排序,自動(dòng)將數(shù)據(jù)存入 Excel 表格,具有縮放功能,光標(biāo)重新運(yùn)行功能以及其他許多優(yōu)點(diǎn)。
提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口,可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。
產(chǎn)品應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域
*院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車(chē)、軌道機(jī)車(chē)等所有的半導(dǎo)體器件應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈 ……
主要用途
測(cè)試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試)
失效分析(對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試,查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過(guò)程提出改善方案 )
選型配對(duì)(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試,將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類(lèi)配對(duì))
來(lái)料檢驗(yàn)(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)
量產(chǎn)測(cè)試(可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類(lèi)輔助機(jī)械設(shè)備,實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、自動(dòng)化測(cè)試)
技術(shù)規(guī)格
高壓源
范圍:±2.500mV~1000V(選配2000V)
分辨率:1mV
精度:1%+10mV
大電流源
范圍:標(biāo)配±1nA~50A(選配100A / 250A / 500A 750A / 1000A / 1250A)
分辨率:1nA /10pA(10pA加微電流選件)
精度:1%+10nA+20pA/V
控制極電壓
范圍:±2.500mV~20V(選配80V)
分辨率:1mV
精度:1%+5mV
控制極電流
范圍:±1nA~10A(選配40A)
分辨率:10nA
精度:10nA+20pA/V
測(cè)試效率:0.5mS/1個(gè)參數(shù)
產(chǎn)品特點(diǎn)
測(cè)試范圍廣(通測(cè)19大類(lèi),27分類(lèi)半導(dǎo)體器件,覆蓋市面上常見(jiàn)的所有分立器件)
升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可提高電壓電流,和增加測(cè)試品種范圍
采用脈沖測(cè)試法,脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300us
被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能,遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試, 保證被測(cè)器件不受損壞
真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。(主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo) ,其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大)
系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力,便于應(yīng)急處理排障
二極管極性自動(dòng)判別功能,無(wú)需人工操作
IV 曲線追蹤掃描及顯示 / 局部放大
程序保護(hù)大電流/電壓,以防損壞
具有品種繁多的IV曲線
可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)
增加線性或?qū)?shù)
可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
保存和重新導(dǎo)入入口程序
保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
曲線圖以及測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)保存為EXCEL和TXT文本格式;
支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A
測(cè)試種類(lèi)及參數(shù)
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS
MOSFET / MOS場(chǎng)效應(yīng)管
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
J-FET / J型場(chǎng)效應(yīng)管
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF
晶體管(NPN/PNP)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
DIODE / 二極管
IR;BVR ;VF
ZENER / 穩(wěn)壓、齊納二極管
IR;BVZ;VF;ZZ
DIAC / 雙向觸發(fā)二極管
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
OPTO-COUPLER / 光電耦合
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
RELAY / 繼電器
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
TRIAC / 雙向可控硅
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
SCR / 可控硅
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH
STS / 硅觸發(fā)可控硅
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;VPK-;VGSW+;VGSW-
DARLINTON / 達(dá)林頓陣列
ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;BVCER;BVCEE;BVCES;BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBEON
REGULATOR / 三端穩(wěn)壓器
Vout;Iin;
OPTO-SWITCH / 光電開(kāi)關(guān)
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
OPTO-LOGIC / 光電邏輯
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
MOV / 金屬氧化物壓變電阻
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
SSOVP / 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、IH-;;IBO+IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
VARISTOR / 壓變電阻
ID+; ID-;VC+ ;VC-
公司介紹
西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備 研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的高*企業(yè)。產(chǎn)品有半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數(shù)及可靠性和老化測(cè)試。靜態(tài)單脈沖(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))動(dòng)態(tài)雙脈沖(包括 Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg,Rg , UIS , SC , C, RBSOA)等。環(huán)境老化測(cè)試(包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等)熱特性測(cè)試(包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等)各類(lèi)全系列測(cè)試設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和下游產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車(chē)、新能源汽車(chē)、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈)。
展望未來(lái),公司將全力發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢(shì),為客戶提供全*位專(zhuān)家級(jí)的技術(shù)支持以及更多的經(jīng)典產(chǎn)品。
歡迎各位來(lái)電垂詢;
順祝商祺!
2020.05.15/葉
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