Helios 5 DualBeam FIB雙束掃描電鏡
- 公司名稱 北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司
- 品牌 FEI/賽默飛
- 型號 Helios 5 DualBeam
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2023/3/20 9:14:06
- 訪問次數(shù) 4439
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
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Helios 5 DualBeam FIB雙束掃描電鏡經(jīng)過精心設(shè)計,可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是具挑戰(zhàn)性的樣品。
Helios 5 DualBeam FIB雙束掃描電鏡重新定義了高分辨率成像的標準:高材料對比度,快、簡單、準確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動或自動工作流程的運行狀態(tài)。
半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù):
| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | |
| 樣品制備與XHR掃描電鏡成像 | 終樣品制備(TEM薄片,APT) | STEM亞納米成像與樣品制備 | |||
SEM | 著陸電壓 | 20ev-30kev | 20ev-30kev | |||
分辨率 | 0.6nm@15kev 1.0nm@1kev | 0.6nm@2kev 0.7nm@1kev 1.0nm@500ev | ||||
STEM | 分辨率@30kev | 0.7nm | 0.6nm | 0.3nm | ||
FIB制備過程 | 大材料去除束流 | 65nA | 100nA | 65nA | ||
終拋光電壓 | 2kv | 500v | ||||
TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50nm | 15nm | 7nm | ||
自動化 | 否 | 是 | 是 | |||
樣品處理 | 行程 | 110×110×65mm | 110×110×65mm | 150×150×10mm | 100×100×20mm | 100×100×20mm+5軸(S)TEMCompustage |
負載鎖 | 手動 | 自動 | 手動 | 自動 | 自動+自動插入/提取STEM桿 |
材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù):
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| Helios 5 CX | Helios 5 UX |
離子光學(xué) |
| 具有*的高電流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有*的大電流和低電壓性能的Phoenix離子鏡筒 |
離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
大水平視場寬度 | 在光束重合點時為0.9 mm | 在光束重合點時為0.7 mm | |
離子源壽命 | 1,000 hours | 1,000 hours | |
| 兩級差動泵 | 兩級差動泵 | |
飛行時間矯正 | 飛行時間矯正 | ||
15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
電子光學(xué) | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | |
磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | ||
電子束分辨率 | 工作距離下 | 0.6 nm at 30 kV STEM | 0.6 nm at 30 kV STEM |
0.6 nm at 15 kV | 0.7 nm at 1 kV | ||
1.0 nm at 1 kV | 1.0 nm at 500 V (ICD) | ||
0.9 nm at 1 kV 減速模式* |
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在束流重合點 | 0.6 nm at 15 kV | 0.6 nm at 15 kV | |
1.5 nm at 1 kV 減速模式* and DBS* | 1.2 nm at 1 kV | ||
電子束參數(shù) | 電子束流范圍 | 0.8 pA to 176 nA | 0.8 pA to 100 nA |
加速電壓范圍 | 200 V – 30 kV | 350 V – 30 kV | |
著陸電壓 | 20 eV – 30 keV | 20 eV – 30 keV | |
大水平視場寬度 | 2.3 mm at 4 mm WD | 2.3 mm at 4 mm WD | |
探測器 | Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
Elstar i鏡筒內(nèi)SE/BSE 探測器 (ICD)* | |||
Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)* | |||
樣品室內(nèi)Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD) | |||
紅外相機 | |||
高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器(SE)* | |||
樣品室內(nèi)樣品導(dǎo)航彩色光學(xué)相機Nav-Cam Camera* | |||
可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器(DBS)* | |||
可伸縮STEM 3+ 探測器* | |||
電子束流測量 | |||
樣品臺和樣品 | 樣品臺 | 靈活五軸電動 | 壓電驅(qū)動XYR軸的高精度五軸電動工作臺 |
XY | 110 mm | 150 mm | |
Z | 65 mm | 10 mm | |
R | 360° (連續(xù)) | 360° (連續(xù)) | |
傾斜 | -15° to +90° | -10° to +60° | |
大樣品高度 | 與優(yōu)中心點間隔85mm | 與優(yōu)中心點間隔55mm | |
大樣品質(zhì)量 | 樣品臺任意位置500 g | 樣品臺任意位置500 g | |
0° 傾斜時大5kg | |||
大樣品尺寸 | 直徑110 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | 直徑150 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | |
| 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 |