300-CAM35 PIPS探測(cè)器
參考價(jià) | ¥10.00 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 成都晶威科技有限公司
- 品牌其他品牌
- 型號(hào)300-CAM35
- 所在地成都市
- 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間2019/12/5 17:36:02
- 訪問(wèn)次數(shù) 419
產(chǎn)品標(biāo)簽
規(guī)格
300-CAM35 | 10.00元 | 10000 只可售 |
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PIPS探測(cè)器,碳化硅(SiC)探測(cè)器,He3正比計(jì)數(shù)器,蓋革計(jì)數(shù)管,鋰玻璃探測(cè)器
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,石油,地礦,司法 |
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成都晶威科技有限公司的鈍化離子注入平面硅PIPS探測(cè)器是現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝產(chǎn)品。在大多數(shù)應(yīng)用中,這種探測(cè)器已經(jīng)取代了硅表面位壘探測(cè)器(SSB)器和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)。
PIPS探測(cè)器與硅表面位壘探測(cè)器(SSB)和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)類型相比,PIPS探測(cè)器具有很多優(yōu)勢(shì):
- 所有結(jié)構(gòu)邊緣均埋置在內(nèi)部-不需要使用環(huán)氧封邊劑。
- 為了獲得更好的能量分辨率,連接觸點(diǎn)通過(guò)離子注入精確形成的,且更薄。
- 入射窗堅(jiān)固耐用,可方便清洗擦拭。
- 漏電流一般為硅表面位壘探測(cè)器(SSB)和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)的1/8到1/100。
- 入射窗(死層)厚度小于相應(yīng)的硅表面位壘探測(cè)器(SSB)或擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)。
6.標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器可烘烤至100℃。
- 探測(cè)器采用平面工藝,利用光刻技術(shù)來(lái)確定探測(cè)器的幾何形狀。通過(guò)精確控制氧化物鈍化,離子注入用于控制形成精確的連接,這對(duì)于低反向漏電流和更薄的入射窗是非常必要的。光刻技術(shù)適用于任何直徑為80mm的幾何圖形。
- PIPS探測(cè)器與硅表面位壘探測(cè)器(SSB)不同的是,硅表面位壘探測(cè)器(SSB)的原始結(jié)邊是環(huán)氧樹脂密封的,以達(dá)到某種程度的穩(wěn)定性,而PIPS探測(cè)器的結(jié)構(gòu)邊緣都埋在探測(cè)器內(nèi)部。通過(guò)改變封裝結(jié)構(gòu)形式有三個(gè)主要優(yōu)點(diǎn):1)PIPS探測(cè)器的穩(wěn)定性不依賴于環(huán)氧密封膠;2)微等離子體擊穿的風(fēng)險(xiǎn)很小,不會(huì)對(duì)PIPS探測(cè)器造成影響;3)漏電流僅為硅表面位壘探測(cè)器(SSB)或擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)的一小部分。