威創(chuàng)光電推出用于醫(yī)療、生命科學(xué)、傳感等使用的高品質(zhì)808nm,單模,多模,激光器,激光二極管激光二極管,光斑模式分為單模輸出和多模輸出?？梢蕴峁㏕O18，TO5，C-MOUNT, TO3, E-mount, 窗口型封裝等。同時提供光斑整形服務(wù)，光斑快軸經(jīng)壓縮后，光斑可為方形或者線形，滿足客戶不同使用場景。

產(chǎn)品型號和主要參數(shù)如下：

單模激光二極管：

多模激光二極管：

產(chǎn)品照片及尺寸圖

1）  TO18封裝

2）  TO5封裝

3）  C-mount封裝

4）  TO3封裝

5）  E-MOUNT封裝

6）  窗口型封裝

另外，威創(chuàng)光電可以提供的激光產(chǎn)品波長范圍: 405nm~1920nm（詳見下面波長列表），包含單模激光二極管、多模激光二極管，光纖耦合激光模塊、光纖耦合激光器系統(tǒng)、醫(yī)療激光模塊、RGB白光激光器等，光纖類型：單模光纖、多模光纖、保偏光纖可選，可以根據(jù)客戶的要求進行特殊定制（波長/功率/封裝/光纖類型/光纖芯徑等），如有需求 歡迎商洽！

威創(chuàng)光電可以提供如下波長供客戶選擇：375nm, 405nm, 445nm/450nm, 465nm, 488nm, 505nm/510nm, 515nm/520nm/525nm, 633nm, 635nm/638nm/640nm/642nm, 650nm/658nm/660nm, 670nm, 685nm/690nm, 705nm, 730nm, 755nm/760nm/770nm, 780nm/785nm, 795nm, 800nm/808nm/810nm, 820nm/830nm, 840nm/850nm/860nm, 880nm, 905nm,915nm, 940nm, 976nm/980nm, 1060nm/1064nm, 1210nm, 1270nm, 1280nm, 1290nm, 1310nm, 1330nm, 1350nm, 1370nm, 1390nm, 1410nm, 1430nm, 1450nm, 1470nm, 1490nm, 1510nm, 1530nm, 1550nm, 1570nm, 1590nm, 1610nm, 1625nm, 1650nm, 1720nm, 1900nm, 1920nm．產(chǎn)品類型包含：單模激光二極管，多模激光二極管，單模光纖耦合激光二極管／單模尾纖激光器，單模保偏尾纖激光二極管／單模保偏光纖耦合激光器，多模光纖耦合激光模塊／多模尾纖激光二極管，光纖可插拔激光模塊／激光二極管，準(zhǔn)直激光模組，RGB白光光纖耦合激光模塊，RGB白光光纖耦合激光器系統(tǒng)，光纖耦合激光器系統(tǒng)，３波長光纖耦合激光器系統(tǒng)，３通道光纖耦和激光器，用于CTP印刷使用的405nm激光二極管／激光模塊等，封裝類型包含TO18, TO5,C-mount, TO3, E-mount, H-mount, COS, 2-pin, 4-pin, 9-pin, 8-pin, 11-pin, 15-pin等。光纖芯徑包含：3um, 4um, 5um, 6um, 9um, 10um, 25um, 40um, 50um, 60um, 62.5um, 105um, 200um, 400um, 600um, 800um, 1000um等，光纖類型包含：單模光纖，多模光纖，單模保偏光纖。

半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異，不同種類產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導(dǎo)體激光器件，可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。

半導(dǎo)體二極管激光器是實用重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦，其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調(diào)制以獲得高速調(diào)制的激光輸出。由于這些優(yōu)點，半導(dǎo)體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的應(yīng)用。

、半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級之間，實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。半導(dǎo)體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導(dǎo)體激光器，一般是由砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料制成的半導(dǎo)體面結(jié)型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射。光泵式半導(dǎo)體激光器，一般用N型或P型半導(dǎo)體單晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物質(zhì)，以其他激光器發(fā)出的激光作光泵激勵。高能電子束激勵式半導(dǎo)體激光器，一般也是用N型或者P型半導(dǎo)體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質(zhì)，通過由外部注入高能電子束進行激勵。在半導(dǎo)體激光器件中，性能較好，應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注入式GaAs二極管激光器。

半導(dǎo)體激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)輸出。后來經(jīng)過改良，開發(fā)出雙異質(zhì)接合型激光及條紋型構(gòu)造的激光二極管（Laser diode）等，廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產(chǎn)量大的激光器。
激光二極體的優(yōu)點有：效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達到數(shù)%~25%，總而言之能量效率高是其大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅外線到可見光范圍，而光脈沖輸出達50W（帶寬100ns）等級的產(chǎn)品也已商業(yè)化，作為激光雷達或激發(fā)光源可說是非常容易使用的激光的例子。