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XEIA3掃描電鏡 XEIA3掃描電鏡

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XEIA3掃描電鏡

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TESCAN泰思肯公司簡介


TESCAN是一家專注于微觀形貌、結(jié)構(gòu)和成分分析的科學(xué)儀器的跨國公司,是知名的電子顯微儀器制造商,總部位于電鏡制造基地-捷克布爾諾,且已建立起國際的銷售和服務(wù)網(wǎng)絡(luò),在捷克、法國和美國擁有4家研發(fā)中心、2個生產(chǎn)基地以及6家海外子公司,已有超過60年的電子顯微鏡研發(fā)和制造歷史。其產(chǎn)品主要有電子顯微鏡、聚焦離子束系統(tǒng)、多通道全息顯微鏡及相關(guān)分析附件和軟件,正被廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、生物、生化、農(nóng)業(yè)、材料科學(xué)、冶金、化學(xué)、石油、制藥、半導(dǎo)體和電子器件等領(lǐng)域中。

作為科學(xué)儀器的主要供應(yīng)商之一,TESCAN正為其在設(shè)計、研發(fā)和制造掃描電子顯微鏡及掃描電子顯微鏡在不同領(lǐng)域的應(yīng)用方面樹立良好的聲譽和品牌。目前TESCAN的產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)在微納米技術(shù)領(lǐng)域取得了優(yōu)勢的地位,創(chuàng)造了掃描電子顯微鏡與拉曼光譜儀聯(lián)用技術(shù)、聚焦離子束與飛行時間質(zhì)譜儀聯(lián)用技術(shù)以及氙等離子聚焦離子束技術(shù),也是行業(yè)領(lǐng)域的先行者。TESCAN憑借優(yōu)異的性能贏得越來越多的用戶認可,目前生產(chǎn)的各系列電鏡在世界范圍內(nèi)受到廣泛的好評。從2000年至今已有2500多臺電鏡積極地服務(wù)于全球客戶。

 

TESCAN中國

 

TESCAN于2009年正式進入中國市場,成立了TESCAN CHINA中國分公司,總部設(shè)在上海,且在北京、上海兩地建立了DEMO實驗室,在北京、上海、廣州、重慶、南京、武漢、西安、無錫、蘇州等城市設(shè)立9個維修站。TESCAN中國公司擁有經(jīng)驗豐富的售前應(yīng)用和售后服務(wù)的技術(shù)團隊,在上海的應(yīng)用中心有包含鎢燈絲電鏡、場發(fā)射電鏡、FIB以及電制冷能譜儀、電鏡制樣設(shè)備等全系列產(chǎn)品的演示培訓(xùn)平臺,為國內(nèi)用戶提供參觀、交流和學(xué)習(xí)的平臺。

 

在進入中國的短短幾年內(nèi),TESCAN已逐步建立起了自己的品牌,得到了廣大客戶的認同。TESCAN在中國的高速發(fā)展得益于產(chǎn)品優(yōu)異的性能、快捷的售后服務(wù)以及致力于成就客戶的信念,未來TESCAN中國將持續(xù)提升個性化服務(wù),為國內(nèi)用戶提供更全面、更專業(yè)的綜合解決方案!

 

場發(fā)射掃描電鏡

價格區(qū)間 面議 儀器種類 冷場發(fā)射
應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保

XEIA3掃描電鏡集非凡的超高分辨成像能力和優(yōu)異的微細加工于一體。強大且超快速的微/納米 FIB 加工、低能電子束下的超高分辨率(UHR)、超快且可靠的微量分析和三維重構(gòu)功能,使得 XEIA3 成為一款理想易用的 FIB-SEM 系統(tǒng)。隨著 XEIA3 的問世,TESCAN 不僅躋身儀器供應(yīng)商之列,還履行了其致力于繼續(xù)幫助科研人員推動科學(xué)研究與進展的承諾。TESCAN 的定制化系統(tǒng)能滿足各類客戶的具體需求。從材料科學(xué)到生命科學(xué),從材料工程到半導(dǎo)體行業(yè),TESCAN 的設(shè)備一直都表現(xiàn)出的高性能。

XEIA3掃描電鏡

突出特點

Triglav™ -新型超高分辨率 ( UHR ) 電子光學(xué)鏡筒

  • TriLens™物鏡系統(tǒng):電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合
  • 具有多個 SE 及 BSE 探測器的探測系統(tǒng)
    • TriSE™TriBE™
  • Triglav™ - 低加速電壓下的超高分辨率:1 nm (1 kV ), 0.7 nm (15 kV )
  • EquiPower™ 進一步提高電子束的穩(wěn)定性
  • 電子束流高達 400nA,并能實現(xiàn)電子束能量的快速改變
  • 優(yōu)化的鏡筒幾何設(shè)計大可容納 8” 晶圓

極其強大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振(High-ECR)產(chǎn)生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒,可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領(lǐng)域不能完成的任務(wù)

  • 濺射速率比 Ga 液態(tài)金屬離子源快 50 倍
  • 離子束流范圍:1 pA ~ 2 µA;分辨率:<25 nm
  • 新研發(fā)的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒(選配),分辨率優(yōu)于< 15 nm,進一步增強刻蝕能力
  • 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍,在無氣體輔助增強的條件下也可實現(xiàn)超快濺射
  • 相較于 Ga 液態(tài)金屬離子源,離子注入效應(yīng)顯著減少
  • Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區(qū)域附近的電學(xué)性能
  • 銑削過程中無金屬間化合物形成


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