1.設(shè)備用途：磁控濺射設(shè)備 1是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點(diǎn)和納米晶顆粒等薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設(shè)備可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

2. 靶、基片及加熱材料

磁控濺射設(shè)備 1可以采用單靶獨(dú)立工作或四只靶輪流工作、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式，向心濺射，射頻直流兼容。

所有靶面均可以沿軸向電動(dòng)位移，所有靶上都帶有電動(dòng)檔板，以防止靶面在未工作時(shí)被污染。

3. 基片有效鍍膜直經(jīng)：可達(dá)4吋，整個(gè)基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪，基片架采用框式結(jié)構(gòu)，樣品交接容易，基片架不變形，鍍膜時(shí)基片轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速度5～60轉(zhuǎn)/分可調(diào)，鍍膜均勻?；袚醢?，防止污染。樣品加熱溫度：常溫～1000○C可調(diào), 常溫～1400○C可調(diào), 常溫～1700○C可調(diào)。

該設(shè)備配有基片擋板，以防止束源未穩(wěn)定工作時(shí)污染基片。樣品架在鍍膜時(shí)旋轉(zhuǎn)，基片上薄膜生長(zhǎng)均勻，其整個(gè)基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。