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M-3 蘇州晶格M-3便攜式手持式方塊電阻測(cè)試儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 蘇州晶格電子有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) M-3
  • 產(chǎn)地 江蘇省蘇州市吳中區(qū)長橋街道新門路18號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2019/11/14 13:56:23
  • 訪問次數(shù) 1165

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蘇州晶格電子有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)銷:教育、科研、生產(chǎn)用電子測(cè)量儀器儀表的專業(yè)*。主營導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率方塊電阻測(cè)試的四探針試儀器、交直流電壓表電流表。公司位于蘇州市吳中區(qū)新家工業(yè)園內(nèi),比鄰吳中名勝石湖,近連蘇州環(huán)城高速與友新高架,環(huán)境優(yōu)美交通便利。

主要產(chǎn)品:
公司現(xiàn)有導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率方阻測(cè)試的四探針測(cè)試儀系列,可測(cè)固體粉末ITO涂層鍍膜的電阻率方阻,有絕緣材料超高阻微電流測(cè)試儀系列,有低頻、視頻、寬頻、超高頻各頻段模擬式、數(shù)字式交流毫伏表系列(含真有效值),交直流數(shù)字式電壓、電流、電阻多用表系列等系列等九大系列二百余種產(chǎn)品,并可按客戶要求研制特種測(cè)量儀器。JG品牌系列產(chǎn)品,以其*行業(yè)技術(shù)功能和*的性價(jià)比,已得到越來越多客戶的青睞。廣泛應(yīng)用于教學(xué)、科研、*、生產(chǎn)制造等領(lǐng)域。

研制開發(fā):
公司不僅配有成套、完備、高檔的研發(fā)硬件設(shè)備,更有一批*、高新專業(yè)研發(fā)人才隊(duì)伍。采用以SOC單片機(jī)為核心的嵌入式系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的手動(dòng)自動(dòng)一體化測(cè)量儀器儀表,技術(shù)功能*,款式新穎,操作簡便,是本公司產(chǎn)品時(shí)新的亮點(diǎn)。
“測(cè)量儀器儀表自動(dòng)化,高檔儀器儀表國產(chǎn)化”是公司當(dāng)前務(wù)實(shí)的技術(shù)研發(fā)目標(biāo)。

四探針測(cè)試儀系列、粉末電阻率測(cè)試儀系列、超高阻微電流測(cè)試儀系列、電阻表系列、交直流電壓表電流表系列

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 1-5千
應(yīng)用領(lǐng)域 電子 自動(dòng)化度 半自動(dòng)

2.1基本功能和依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):
      蘇州晶格M-3便攜式手持式方塊電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試材料電阻率/方塊電阻的多用途、高性價(jià)比測(cè)量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》等國標(biāo)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

2.2配套組成:標(biāo)準(zhǔn)配置由M-3型主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測(cè)試

2.3蘇州晶格M-3便攜式手持式方塊電阻測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)特征:

1美觀適用:彩色流線型手持式面板、帶防滑墊,符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì)。適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用,也可以定制小型旅行手提箱包裝,便于野外或旅行使用。

2高精度:帶完善厚度、形狀修正功能,測(cè)試精準(zhǔn)。同行中手持式多為簡易程序,沒有完整修正功能,無法修正誤差。

3寬量程:超寬五個(gè)檔位,相當(dāng)于中檔臺(tái)式機(jī)的量程,同行中手持式多為兩到三個(gè)檔位,測(cè)試范圍有限,適應(yīng)性不廣。

4操作簡便、性能穩(wěn)定:輕觸數(shù)字化鍵盤實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換,簡便而且免除模擬定位器的不穩(wěn)定易受干擾。

5手動(dòng)/自動(dòng)一體化:

6顯示方式美觀清晰:由高亮綠色數(shù)碼和LED數(shù)字表頭顯示,不怕環(huán)境背景暗或野外強(qiáng)光;

7待機(jī)和工作時(shí)間長(不小于兩天),有大容量可充電鋰電池電池供電,環(huán)保耐用。

2.4探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。詳情見《四探針探頭型號(hào)規(guī)格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭,如ST2253-F01型,以測(cè)試硅等半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭,如ST2558B-F01型,可測(cè)金屬箔、碳紙等導(dǎo)電薄膜,也可測(cè)陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導(dǎo)電涂層膜,如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。

3配箔上涂層探頭,如ST2558B-F02型,也可測(cè)試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。

4換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器的體電阻進(jìn)行測(cè)量。

2.5測(cè)試臺(tái)選配:根據(jù)不同材料特性需要,測(cè)試臺(tái)可有多款選配。詳情見《四探針測(cè)試臺(tái)型號(hào)規(guī)格特征選型參照表

四探針法測(cè)試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型(電動(dòng))或SZT-C型(快速恒壓)測(cè)試臺(tái)。

二探針法測(cè)試細(xì)長棒類材料選配SZT-K型測(cè)試臺(tái).

平行四刀法測(cè)試橡塑材料配SZT-G型測(cè)試臺(tái)。

2.6適用范圍:手持式使用,儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針法對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。 

三、基本技術(shù)參數(shù)

1.測(cè)量范圍、分辨率

電    阻: 0.010Ω~50.00kΩ,     分辨率0.001Ω~10 Ω

電 阻 率: 0.010Ω-cm~20.00kΩ-cm, 分辨率0.001Ω~10 Ω-cm

方塊電阻:0.050Ω/□ ~100.00kΩ/□   分辨率0.001Ω~10 Ω/□

2.可測(cè)材料尺寸

手持方式不限材料尺寸,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下:

直    徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm。

SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。

長(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。

測(cè)量方位: 軸向、徑向均可。

3.量程劃分及誤差等級(jí)(括號(hào)內(nèi)為拓展量程)

量程(Ω-cm/□)

2.000

(200.0m)

20.00

(2.000m)

200.0

(20.00)

2.000k

(200.0)

20.00k

(2.000k)

電阻測(cè)試范圍

0.010~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~50.00k

電阻率/方阻

0.010/0.050~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~20.00k/100.0k

基本誤差

±1%FSB±2LSB

±2%FSB±2LSB

4)充電器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電DC3.7V.

5)外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重:≤0.3kg



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