PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

儀器簡介：

該系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF)，可選用空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。最大沉積尺寸為8英寸。
使用花傘式的陰極射頻等離子源，壓盤可由射頻或脈沖直流控制，電阻加熱，循環(huán)水冷。標(biāo)準(zhǔn)配置由一路載氣和兩路反應(yīng)氣組成，也可以選配流量計。

 
PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

設(shè)備規(guī)格：
計算機(jī)控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備；
射頻花傘噴淋頭等離子源；
最大可沉積8英寸直徑的薄膜；
RF偏壓基底夾具；
水冷平臺(water cooled platen)；
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過流量計控制流量；
分子渦輪泵；
基本真空度10-7 Torr，200L/sec渦輪分子泵；
空氣控制閥；

技術(shù)參數(shù)：

PECVD參數(shù)：
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣，1載氣，1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
最高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

RIE參數(shù)：
電腦控制，全能自鎖
電極： 8”
電極冷卻: 水冷
流量計MFC數(shù)量: 標(biāo)配4個
RIE腔體：鋁制，13”直徑大小
工作壓力： 0.02-500 mTorr, 動態(tài)壓力控制
射頻電源： 13.5 MHz, 600 W ，帶自動調(diào)頻，
真空度 : 10-7 Torr 以上，配渦淪分子泵, Baratron and WR 真空規(guī)
N2 吹掃: 整個腔體和氣路
氣體分散: 噴淋頭式
硅片裝載Wafer Load: 手動，氣動式掀蓋放置
等離子體源Plasma Sources: 臺板射頻偏壓，可以產(chǎn)生-400V 偏壓

主要特點(diǎn)：

柜式PECVD/ RIE系統(tǒng)，電腦Lab View軟件控制
PECVD 等離子體源：平面噴淋頭射頻電極產(chǎn)生離子源
流量控制 :4個流量計（MFC） (針對 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD樣品臺Platen : 8”不繡鋼，可加熱至300C，水冷，溫度可控，可配射頻偏壓 （選配）
PECVD沉積腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不繡鋼。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉積腔前門可視窗口（5“直徑），手動門（8”直徑），和10“法蘭，硅片在開門后手動放置
RIE腔體尺寸： 13” 直徑，鋁材質(zhì)，掀蓋式放置，氣動式開門, 工作壓力 : 0.02 to 1 Torr
鋁質(zhì)射頻臺，最大至8”硅片，水冷，（冷卻器未包括，需要用戶提供）
噴淋頭式氣體分散
配加熱工作時使用Baratron真空計(用于RIE)和BOC Edwards 寬頻真空計(用于RIE & PECVD)
3個流量計（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自動過程壓力控制
VCR接頭和 Nupro閥門 , 氮?dú)饩€吹掃，電腦控制質(zhì)量流動控制器（MFC）
德國普發(fā)公司TPH261PC型200L/sec耐腐蝕渦輪分子泵和BOC公司RV12式機(jī)械泵組合使用
射頻供電： 600 W，13.5MHz 帶自動調(diào)頻。接入電源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,