KeysightB1500A 用帶納米探針的KeysightB1500A進行失效分析
參考價 | ¥ 65000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 深圳佳捷倫電子儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 KeysightB1500A
- 產(chǎn)地 馬拉西亞
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2019/10/18 16:15:59
- 訪問次數(shù) 272
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產(chǎn)地類別 | 進口 | 電動機功率 | B1505A/B1506A/B1500AkW |
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外形尺寸 | 20mm | 應用領(lǐng)域 | 電子,航天,汽車,電氣 |
重量 | 30kg |
用帶納米探針的KeysightB1500A進行失效分析
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深圳佳捷倫電子儀器有限公司
負責人:雷S/歐陽R
TEL:138----2659----6538(同微)
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詳細資料可加WeChat:Cgilent2018(雷依婷)
用帶納米探針的KeysightB1500A進行失效分析
目前,能探測極窄線寬的納米探針技術(shù)取得了許多進展,從而能表征集成電路內(nèi)單個器件的電氣
特性。這篇應用指南介紹如何用 B1500A 半導體器件分析儀進行這類測量,我們通過 SRAM 失效
分析說明這項技術(shù)。
常規(guī)存儲器失效分析是用邏輯測試儀探測有失效的比特位,然后用掃描電子顯微鏡 (SEM) 和透射
電子顯微鏡 (TEM) 進行實際觀察和判斷造成失效的成因。
但 SEM 和 TEM 都屬破壞性的測試,您只能在若干可能失效位置中觀看其中一個點。這就大大限
制了用戶定位失效具體成因的能力。此外,對于非常小的殘留物或異常摻雜密度造成的電性失效,
也難以采用傳統(tǒng)的物理觀察技術(shù)來發(fā)現(xiàn),因此需要增加一些其它類型的電氣測試。
常規(guī)器件電氣測試方案需要把器件放在帶探針測試點的 TEG (測試元件組) 中,而這一 TEG 則通
常放在晶圓片上芯片間的切割道中。顯然,這種方法不能在實際芯片內(nèi)的失效位置上進行電氣表征。
......
總結(jié)
傳統(tǒng)分析方法對許多失效機制(如摻雜異常) 是難以探測的。但通過 Keysight B1500A 與
納米探針的結(jié)合,就有能力探測集成電路中的單個晶體管,并且像在常規(guī) TEG 上測量器
件那樣容易。B1500A 的 EasyEXPERT 軟件可隨時變更 SMU 引腳設(shè)置,與 EasyEXPERT
強大的應用測試序列能力一起,即可快速和高效地在正反兩個方向上對被懷疑的晶體管
進行自動評估。在使用納米探針時,用極快速度執(zhí)行這一電氣測試是非常重要的,因為電
氣接觸只能保持一個很短的時間,您必須要在這一時間內(nèi)完成測量。本應用指南以調(diào)試
SRAM 單元為例概述了這一過程。
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