維意真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備

PE-CVD結(jié)構(gòu)特點(diǎn)介紹：
1、PECVD系列真空管式高溫?zé)Y(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體；
2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進(jìn)口高溫合金電阻絲為加熱元件；
3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性；
4、測溫采用性能穩(wěn)定，長壽命的“K”型熱電偶，以提高控溫的精準(zhǔn)性；
5、它是專為高等院校﹑科研院所及工礦企業(yè)對金屬，非金屬及其它化和物材料在氣氛或真空狀態(tài)下進(jìn)行燒結(jié)﹑融化﹑分析而研制的設(shè)備；
6、MPECVD系列真空管式爐能夠快速開啟，快速升降溫，方便客戶對特殊材料的裝載，燒制和觀察；
7、爐體的控制面板配有觸摸屏，控制電源開關(guān)，配有電源和保險(xiǎn)指示燈，以便隨時觀察本系統(tǒng)的工作狀態(tài)。

維意真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備
*** 基本功能介紹：
1、輝光放電：在系統(tǒng)低于100Pa啟動射頻電源可以實(shí)現(xiàn)輝光放電；
2、加熱：系統(tǒng)可以設(shè)置30段溫控程序，彩屏系統(tǒng)預(yù)存15條燒培曲線，針對不同的樣品，設(shè)置不同的預(yù)設(shè)曲線，避免重復(fù)設(shè)置；
 3、自動清洗功能：樣品放入線圈的區(qū)域，配置好參數(shù)（PECVD功能配置），系統(tǒng)會自動抽真空，并
通入設(shè)置的氣體，自動啟動輝光放點(diǎn)；
4、自動cvd功能：樣品放入線圈的區(qū)域，配置好參數(shù)（PECVD功能配置），系統(tǒng)會自動抽真空，并通入設(shè)置的氣體，自動啟動輝光放點(diǎn)；
5、智能能模式：實(shí)現(xiàn)自動清洗和cvd功能，樣品不需移出，清洗cvd功能一鍵完成，并能實(shí)現(xiàn)多次的循環(huán)操作；
6、通氣時間可以設(shè)定：通過界面設(shè)置通氣時間，時間到后，系統(tǒng)自動停止流量計(jì)，達(dá)到節(jié)能環(huán)保的目的；
7、恒定真空控制：系統(tǒng)設(shè)置一個真空度的數(shù)值（見參數(shù)“真空設(shè)定值”），配合手動閥和真空泵，系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)真空的恒定；
8、系統(tǒng)微正壓控制：系統(tǒng)設(shè)置一個正壓值（見參數(shù)“真空設(shè)定值”），并配置好相應(yīng)的氣路，配合手動放氣閥，可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)微正壓的恒定；
9、系統(tǒng)正壓保護(hù)功能：當(dāng)因?yàn)檎`操作或者其他原因，系統(tǒng)壓力超過保護(hù)值時（見參數(shù)“放氣閥開啟壓力”），系統(tǒng)會自動關(guān)閉進(jìn)氣，保護(hù)設(shè)備；
10、加熱爐膛移動的速度可以調(diào)節(jié)。

 該系列PECVD系統(tǒng)具有固態(tài)等離子源、分開式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底溫控，全面控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場控制總線技術(shù)的“值守精靈”控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1400℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、?SiONx?a-Si薄膜的沉積，同時可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。?
*** 主要特點(diǎn)：
??清洗鍍膜一氣呵成，杜絕二次污染；
??上開啟結(jié)構(gòu)，式樣觀察方便；
??觸屏人機(jī)對話整體性操作，安全可靠；;
??產(chǎn)品采用全自動控制方式，觸摸屏，數(shù)字化顯示。
??真空系統(tǒng)、工作壓強(qiáng)、電源系統(tǒng)及自動匹配、工藝氣體流量、加熱系統(tǒng)、運(yùn)動系統(tǒng)、工藝過程、系統(tǒng)監(jiān)控及數(shù)據(jù)采集等