一、美國Laurell濕法刻蝕顯影機(jī)EDC-650Mz-8NPP產(chǎn)品概述：
    650型勻膠顯影機(jī)適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料、硅片、晶片、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝，制版的表面顯影。一般勻膠顯影機(jī)由動力系統(tǒng)、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。

二、美國Laurell濕法刻蝕顯影機(jī)EDC-650Mz-8NPP勻膠顯影機(jī)工作原理：
顯影系統(tǒng)具有可編程閥，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進(jìn)行，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮?dú)猓┑葄ui后的處理步驟。采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程。隔離和獨(dú)立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。勻膠顯影機(jī)還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性。

三、勻膠顯影機(jī)主要性能指標(biāo)：    
1、腔體尺寸：12.5英寸 (318 毫米)；
2、Wafer&芯片：直徑8英寸（200毫米）的晶圓片或者7x7英寸（175毫米）的方片；
3、非真空托盤：聚丙烯材質(zhì)非真空托盤，可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能；
3、轉(zhuǎn)動速度：0-12,000rpm， 
5、馬達(dá)旋涂轉(zhuǎn)速：穩(wěn)定性能誤差 < ±1%；
6、工藝時間設(shè)定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；
7、高精度數(shù)碼控制器：PLC控制，設(shè)置點(diǎn)精度小于0.006%；
8、程序控制：可存儲20個程序段，每個程序段可以設(shè)置51步不同的速度狀態(tài)；
9、分辨率：分辨率小于0.5轉(zhuǎn)/分，可重復(fù)性小于±0.5轉(zhuǎn)/分，美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）認(rèn)證過的，并且無需再校準(zhǔn)！]
10、腔體開關(guān)蓋板：透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板，便于實(shí)時進(jìn)行可視化操作；
11、腔體材質(zhì)說明：用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動傳感觸點(diǎn)的合瓣式艙體；
12、配套分析軟件：SPIN3000操作分析軟件；
13、配套真空泵系統(tǒng)：無油型 220~240伏交流，50/60赫茲；

四、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）
光刻膠顯影（KrF/ArF）
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理