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VTC-1RF 小型磁控射頻濺射鍍膜儀

具體成交價以合同協(xié)議為準

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  合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年,是由一群來自麻省理工學院和加州大學伯克利分校的材料研究人員創(chuàng)辦的美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學研究院合資興辦的高新技術(shù)企業(yè)。主要生產(chǎn)氧化物晶體(A--Z)和材料實驗室成套設(shè)備:包括“混料-壓料-燒料”(混料機、壓片機、箱式爐、真空管式爐)以及“定向-切割-研磨-拋光”(X射線定向儀、低速外圓鋸、金剛石線切割機、自動研磨、拋光機)。公司自主研發(fā)生產(chǎn)上百款不同規(guī)格尺寸、溫度、高溫高壓及快速升溫等產(chǎn)品,其中包括:箱式爐、氣氛爐、管式爐、井式爐、RTP快速升溫爐、高溫高壓爐、鍍膜機、清洗劑及新能源鋰離子電池研發(fā)等相關(guān)實驗室設(shè)備?,F(xiàn)已成為氧化物晶體(A--Z)的主要制造商和材料研究實驗室設(shè)備的*,為科研工作者提供材料研究解決方案。產(chǎn)品設(shè)計*、性能優(yōu)異,質(zhì)量可靠,性價比高,環(huán)保節(jié)能、返修率低,遠銷到歐洲,美國,日本,德國等許多國家,廣泛應(yīng)用于物理、化學、冶金、醫(yī)學、新能源材料研發(fā)等領(lǐng)域,受到客戶*好評。
 
  科晶公司秉承"以人為本、技術(shù)為導、誠信為基、積極創(chuàng)新"的經(jīng)營理念,全力打造材料研發(fā)設(shè)備的品牌,竭力為科學進步和社會發(fā)展做出貢獻。
 

真空管式爐,高溫箱式爐,高速震動球磨機,RTP快速退火爐,高溫高壓爐,涂覆機,電池制備設(shè)備等

小型磁控射頻濺射鍍膜儀是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型),配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源,此款設(shè)備主要用于制作非導電薄膜,特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導電薄膜的探索,它是一款廉價并且高效的實驗幫手。

我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜

技術(shù)參數(shù)

輸入電源

  • 220VAC 50/60Hz, 單相
  • 800W  (包括真空泵)

等離子源

  • 一個100W,13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi)
  • 配有一13.5MHz,100W的射頻電源(采用手動匹配)
  • 可選配300W射頻電源(自動匹配)
  • 注意:100W手動調(diào)節(jié)的RF(射頻)電源價格較低,但是每一次對于不同的靶材,都需要手動設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體,比較耗費時間。300W自動匹配的RF(射頻)電源,價格較昂貴,但比較節(jié)約時間。
  • (點擊圖片查看詳細資料)

磁控濺射頭

  • 一個1英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接
  • 靶材尺寸: 直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
  • 一個快速擋板安裝在法蘭上(手動操作,見圖左3)
  • 濺射頭所需冷卻水:流速10ml/min(儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機)
  • 同時可選配2英寸濺射頭
  • 選配2英寸濺射頭靶材尺寸:直徑為50.8mm,zui大厚度6mm  
       

真空腔體

  • 真空腔體:160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H,采用高純石英制作
  • 密封法蘭:直徑為165 mm .  采用金屬鋁制作,采用硅膠密封圈密封
  • 一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體,以屏蔽等離子體
  • 真空度:<1.0*10-2 Torr (采用雙極旋片真空泵)
  •          <5*10-5 torr (采渦旋分子泵)

載樣臺

  • 載樣臺可旋轉(zhuǎn)(為了制膜更加均勻)并可加熱
  • 載樣臺尺寸:直徑50mm (zui大可放置2英寸的基片)
  • 旋轉(zhuǎn)速度:1 - 20 rpm
  • 樣品臺的zui高加熱溫度為700℃(短期使用,恒溫不超過1小時),長期使用溫度500℃
  • 控溫精度+/- 10℃
  •  

真空泵

可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)

  

薄膜測厚儀

  • 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上,可實時監(jiān)測薄膜的厚度,分辨率為0.10 ?  
  • LED顯示屏顯示,同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
  •  

質(zhì)保和質(zhì)量認證

  • 一年質(zhì)保期,終生維護
  • CE認證

使用注意事項

  • 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜,所以并不需要太高的真空度
  • 為了較好地排出真空腔體中的氧氣,建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗2-3次,可有效減少真空腔體中的氧含量
  • 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射,甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水,所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后,再導入到真空腔體內(nèi)
  •  


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