ES03 快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀
- 公司名稱 北京賽凡光電儀器有限公司
- 品牌
- 型號 ES03
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2015/12/25 12:54:33
- 訪問次數(shù) 729
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ES03是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀,儀器波長范圍從紫外到近紅外。
ES03多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,厚度)和物理參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。
ES03系列適合于對樣品進行實時和非實時的檢測。
特點:
原子層量級的檢測靈敏度
*的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
秒級的快速測量
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。
膜厚測量范圍大
膜厚范圍從次納米量級到10微米左右。
一鍵式儀器操作
對于常規(guī)操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。
應用:
ES03適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如:
- ES03V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
- ES03U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ES03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領(lǐng)域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
典型應用如:
- 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
- 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
- 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等
ES03也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應用領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:
- 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
技術(shù)指標:
項目 | 技術(shù)指標 |
光譜范圍 | ES03V:370-1000nm ES03U:245-1000nm |
光譜分辨率 | 1.5nm |
單次測量時間 | 典型10s,取決于測量模式 |
準確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) |
膜厚測量重復性(1) | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率測量重復性(1) | 1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
入射角度 | 40°-90°手動調(diào)節(jié),步距5°,重復性0.02° |
光學結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有*的準確度) |
樣品臺尺寸 | 可放置樣品尺寸:直徑170 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍:0-10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié):±4° | |
樣品對準 | 光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng) |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預設(shè)項目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式(管理員、操作員) | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。