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n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng) 富士膠片和光（廣州）貿(mào)易有限公司
品牌 Wako/和光純藥
型號(hào)
產(chǎn)地
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2022/6/22 14:20:13
訪問(wèn)次數(shù) 1029

產(chǎn)品標(biāo)簽

PhC2-BQQDI PhC3-BQQDI n型有機(jī)半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料富士膠片和光

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公司介紹 主營(yíng)產(chǎn)品

　　　日本富士膠片和光純藥株式會(huì)社（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation）供應(yīng)產(chǎn)品超過(guò)5萬(wàn)種，涵蓋合成與材料、分析、培養(yǎng)、生命科學(xué)、藥品生產(chǎn)與品質(zhì)管理等應(yīng)用，囊括了基礎(chǔ)研究至關(guān)乎人類(lèi)健康的生命科學(xué)研究領(lǐng)域。本社成立于1922年，前身為前武田藥品工業(yè)株式會(huì)社，2017年被富士膠片集團(tuán)全面收購(gòu)。

隨著富士膠片集團(tuán)對(duì)生命科學(xué)領(lǐng)域的更大重視和投入，為了繼續(xù)對(duì)中國(guó)客戶提供更多前沿、品質(zhì)可靠的產(chǎn)品，富士膠片和光純藥株式會(huì)社在中國(guó)設(shè)立了子公司富士膠片和光（廣州）貿(mào)易有限公司，是一家試劑、耗材和儀器的綜合供應(yīng)商。除了富士膠片和光品牌產(chǎn)品，本公司還代理Enzo Life Sciences、VLVbio、imed、AdipoGen、Stemgent、Cosmo Bio、ReproCell、Funakoshi、Kikkoman、Sanplatec、SONSAN、Genovis、Albumedix、Indigo等國(guó)內(nèi)外品牌，在學(xué)術(shù)研究、產(chǎn)業(yè)化、醫(yī)療等大范圍領(lǐng)域作出貢獻(xiàn)。

展開(kāi)

生物化學(xué)試劑、儀器和耗材

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供貨周期	一個(gè)月以上

n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

PhC₂-BQQDI和PhC₃-BQQDI

本產(chǎn)品為n型有機(jī)半導(dǎo)體材料，其具有優(yōu)異的大氣穩(wěn)定性和電子遷移速度。

n型有機(jī)半導(dǎo)體材料PhC_n-BQQDI，無(wú)論采用真空沉積法，還是涂布法，均可形成再現(xiàn)性良好的成膜，但C₂體（n=2）適合涂布法，而C₃體（n=3）適合氣相沉積法。

◆基本信息

	PhC₂-BQQDI	PhC₃-BQQDI
名稱(chēng)	benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亞胺基的氮原子上連有苯乙基（-C₂H₄Ph）。	benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亞胺基團(tuán)的氮原子上連有苯丙基（-C₃H₆Ph）。
結(jié)構(gòu)式
實(shí)物圖
包裝	氬氣填充
外觀	紅色~紅棕色，結(jié)晶性粉末~粉末

◆特點(diǎn)

可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機(jī)半導(dǎo)體材料。

■ 高遷移性

· 涂布結(jié)晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm²/Vs

· 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過(guò)0.6 cm²/Vs

■ 高穩(wěn)定性

· 可在大氣中長(zhǎng)期保持穩(wěn)定，不受器件結(jié)構(gòu)的影響

· 單晶有機(jī)薄膜晶體管（OFET）可維持半年以上，蒸鍍法OFET可維持一個(gè)月以上

· 遷移性降低率小于10%

■ 高耐性（PhC₂-BQQDI）

· 在單晶OFET中，選擇任意基板，都具有超過(guò)150°C的高耐熱應(yīng)力

· 良好的偏壓應(yīng)力

◆數(shù)據(jù)

①PhC₂-BQQDI

LUMO能級(jí)估算、大氣·熱穩(wěn)定性評(píng)估

● 通過(guò)循環(huán)伏安法（Cyclic Voltammetry，簡(jiǎn)稱(chēng)CV），估計(jì)LUMO為?4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有優(yōu)異的溶解性）

● 通過(guò)熱重-差熱分析法（Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis，簡(jiǎn)稱(chēng)TG?DTA），在421 °C下未觀察到

分解或相變的熱異常

● 大氣儲(chǔ)存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個(gè)月內(nèi)的紫外-可見(jiàn)光（UV-Vis）光譜無(wú)變化。

團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)

呈磚砌型團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)，能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用，并可實(shí)現(xiàn)二維電荷傳輸。

PhC₂-BQQDI的單晶OFET

元件結(jié)構(gòu)	大氣下的輸出特性

②PhC₃-BQQDI

PhC₃-BQQDI單晶結(jié)構(gòu)與LUMO之間的轉(zhuǎn)移積分。

評(píng)估大氣中真空氣相沉積OTFT特性（通道長(zhǎng)/寬=100 µm/1000 µm）

（a）OTFT結(jié)構(gòu)圖

（b）PhC₂-BQQDI和（c）PhC₃-BQQDI在飽和區(qū)隨基板溫度變化的傳輸特性（漏極電壓：50 V）

藍(lán)線：室溫、綠線：100°C、紅線：180°C

（d）PhC₂-BQQDI及（e）PhC₃-BQQDI的遷移速度在大氣中的經(jīng)時(shí)變化

③PhC₂-BQQDI與PhC₃-BQQDI

化合物	基板溫度	平均（最大）遷移速度（cm² V^-1S^-1）?	平均閾值電壓（V）?	接觸電阻（kΩ cm）?
化合物	基板溫度	平均（最大）遷移速度（cm² V^-1S^-1）?	平均閾值電壓（V）?	接觸電阻（kΩ cm）?
PhC₂-BQQDI	室溫	0.29（0.30）	4.6	4.8±0.6
	100°C	0.54（0.54）	3.3	5.8±0.5
	180°C	0.64（0.65）	3.5	4.7±0.4
PhC₃-BQQDI	室溫	0.32（0.33）	3.2	1.7±0.3
	100°C	0.51（0.53）	1.4	4.3±0.6
	180°C	0.65（0.70）	2.5	3.2±0.5

?：在飽和區(qū)（漏極電壓=50 V）時(shí)評(píng)估

?：柵極電壓=50 V時(shí)的估算值

產(chǎn)品編號(hào)	產(chǎn)品名稱(chēng)	產(chǎn)品規(guī)格
165-28601	PhC₂-BQQDI	100 mg
166-28871	PhC₃-BQQDI	100 mg

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