Flex One 北京 顯微光致發(fā)光 光譜儀
- 公司名稱 北京卓立漢光儀器有限公司
- 品牌 ZOLIX/卓立漢光
- 型號 Flex One
- 產(chǎn)地 北京
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/5/20 13:31:29
- 訪問次數(shù) 3721
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Flex One 顯微光致發(fā)光光譜儀
| ● 一體化的光學調(diào)校 ——所有光學元件只需要在初次安裝時 進行調(diào)校，確保高效性和易用性 ● 簡單易用的雙光路設計 ——可隨意在水平和垂直光路上進行切 換，適用于各種常見的樣品形態(tài) ● 超寬光譜范圍** ——300nm-2200nm ● 視頻監(jiān)視光路 ——可供調(diào)整測試點 ● *的發(fā)射光譜校正功能* ——讓光譜測量更精準且具有可比性 | ● 多種激發(fā)波長可選** ——325nm，405nm，442nm， 473nm，532nm，633nm，785nm等 ● 自動mapping功能可選* ——50mm×50mm測量區(qū)間，可定制 特殊規(guī)格 ● 電致發(fā)光(EL)功能可選* ——擴展選項 ● 顯微拉曼光譜測量功能可選* ——擴展選項 ● 超低溫測量附件可選* ——提供10K以下的超低溫測量 |
| *選配項，請詳細咨詢； **需根據(jù)實際需要進行配置確定。 |
產(chǎn)品簡介：
光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光，在半導體材料的發(fā)光特性測量應用中通常是用激光（波長如325nm、532nm、785nm 等）激發(fā)材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）產(chǎn)生熒光，通過對其熒光光譜（即PL 譜）的測量，分析該材料的光學特性，如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關材料的結構、成分及環(huán)境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等相關領域被廣泛應用。傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標準的顯微鏡與熒光光譜儀的結合，但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測量中，存在很大的局限性，比如無法靈活的選擇實驗所需的激光器（特別對于UV 波段的激光器，沒有足夠適用的配件），無法方便的與超低溫制冷機配合使用，采用光纖作為光收集裝置時耦合效率太低等等問題，都是采用標準顯微鏡難以回避的問題。
北京卓立漢光儀器有限公司結合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設計經(jīng)驗和普遍用戶的實際需求，推出了“Flex One( 微光）”系列顯微光致發(fā)光光譜儀，有效的解決了上述問題，是目前市場上 具性價比的的顯微PL 光譜測量的解決方案。
( 產(chǎn)品圖片僅供參考，以實際系統(tǒng)配置為準)
系統(tǒng)組成
● 激發(fā)光源部分：紫外-近紅外波段各種波長激光器
● 顯微光路部分：優(yōu)化設計的專用型顯微光路
● 光譜采集部分：影像校正光譜和高靈敏型科學級CCD或單點探測器和數(shù)據(jù)采集器
● 樣品臺支架部分：xyz三維可調(diào)樣品臺（手動或自動）、超低溫樣品臺
參數(shù)規(guī)格表：
| 主型號 | Flex One | |||
|---|---|---|---|---|
| 光譜范圍 | 300-2200nm | |||
| 光譜分辨率 | 0.1nm | |||
| 激發(fā)光可選波長 | 325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 | |||
| 探測器 | 類型 | 制冷型CCD 2000×256 | 制冷型InGaAs 512×1 | 制冷型InGaAs 512×1 |
| 有效范圍 | 300-1000nm | 800-1700nm | 800nm-2200nm | |
| 空間分辨率 | <100μm | |||
| 注*：以上為基本規(guī)格，詳細規(guī)格依據(jù)不同配置的選擇會有差異 | ||||
1. 光致發(fā)光(PL)光譜測量
分別針對材料的正( 紅色) 和負( 綠色) 測試得到光致發(fā)光光譜曲線如下，GaN 的本征發(fā)光峰365nm 附近以及黃帶，InGaN 的發(fā)光峰475nm 附近。
2. 電致發(fā)光(EL)光譜測量
將材料的正負接到直流電源的正負，電壓加到2.5V 時可以有明顯的藍光發(fā)射，測量其電致發(fā)光光譜曲線如下（紅色），峰值在475nm 附近。
● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱
● 測試條件：325nm激發(fā)，功率30mW
● 光譜范圍：340-700nm
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