產(chǎn)品介紹：感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積、深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）

BM8-III 感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統(tǒng)

高性能深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)

BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)是一款全新定義深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）及低溫低損傷 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統(tǒng)。

該感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計(jì)制造，采用一款通用的真空處理艙及機(jī)柜。等離子處理系統(tǒng)采用感應(yīng)耦合等離子（ICP）電極及底部沉積電極模塊化設(shè)計(jì)理念，方便整體感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統(tǒng)的組裝及配置。

該感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護(hù)及性價(jià)比高的系統(tǒng)比業(yè)內(nèi)其它感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)更具競(jìng)爭(zhēng)力。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)主要性能簡(jiǎn)介

等離子工藝處理的研發(fā)需要多功能且可靠的等離子處理設(shè)備。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購(gòu)的系統(tǒng)設(shè)備滿足zui大范圍的等離子工藝參數(shù)需要、工藝驗(yàn)證需要極其高的可重復(fù)性、必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統(tǒng)滿足這些非?？量痰囊蟆?/p>

BM8-III是一款用于研究、工藝開(kāi)發(fā)及其小批量生產(chǎn)的感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)工具，用于zui大八英寸（203mm）基片的精密等離子刻蝕及沉積。該感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)也可以容納處理多塊晶圓片。

在設(shè)計(jì)BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統(tǒng)之初，主導(dǎo)指示就是創(chuàng)造一款融合高質(zhì)量、可靠、重復(fù)性及其用于生產(chǎn)系統(tǒng)的工藝控制能力為一體的等離子系統(tǒng)；同時(shí)*的降低主機(jī)成本、維護(hù)成本及占地面積小等要求。

BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)具有*的機(jī)體結(jié)構(gòu)和電極設(shè)計(jì)，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)的建造采用高質(zhì)量認(rèn)可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)緊湊、自動(dòng)化及業(yè)內(nèi)認(rèn)可工藝程序使得BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)成為工藝工程師*干法設(shè)備。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)特性

• 一體式真空艙體構(gòu)造

• 1000W@13.56MHz，射頻感應(yīng)耦合等離子（ICP）電源

• 600W@13.56 MHz 射頻 偏壓電源

• Auto RF matching 自動(dòng)射頻匹配器

• 下游壓力控制

• 基于Windows操作系統(tǒng)軟件的電腦控制

• 多款真空泵浦系統(tǒng)選配：機(jī)械泵及渦輪增壓泵浦用于蝕刻；機(jī)械泵浦配備羅茨風(fēng)機(jī)用于沉積；

• 業(yè)內(nèi)認(rèn)可的部件

• 認(rèn)證的工藝程序

• 終點(diǎn)探測(cè)檢測(cè)（選配）

感應(yīng)耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)應(yīng)用

•  深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）

• 低損傷高速蝕刻速率

• 亞微米級(jí)蝕刻

• SiO2 及 Si3N4的低溫、低損傷等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）

• 聚酰亞胺蝕刻、鈍化層蝕刻（Polyimide etching 、Passivation etching）

• 碳納米管沉積

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)應(yīng)用

基于感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積系統(tǒng)建造的高質(zhì)量處理模塊，BM8-III滿足廣泛的等離子處理工藝條件，無(wú)論是復(fù)雜的亞微米級(jí)反應(yīng)離子刻蝕 （RIE）還是低溫下的高質(zhì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PEVCD薄膜的沉積。

基與眾多客戶群的緊密協(xié)作，我們開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)認(rèn)可的工藝程序，保證系統(tǒng)滿足用戶所需。用于生產(chǎn)制造的系統(tǒng)設(shè)備均采用zui高質(zhì)量的部件，保證我們的系統(tǒng)提供zui大可能的正常運(yùn)行時(shí)間、 可靠性、重復(fù)性及耐用性。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的廣泛使用得益于其高性價(jià)比、多功能設(shè)計(jì)模塊、提供其他同類感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)沒(méi)有的工藝優(yōu)勢(shì)。這些包括層流安裝、安裝占地面積小，多款電極配置，及其zui大可滿足8英寸基片處理等。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)基本模塊

BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲(chǔ)、數(shù)碼質(zhì)量流量控制的四路通道控制（zui大可擴(kuò)展至六通道）、溫度補(bǔ)償式電容壓力計(jì)用于測(cè)量工藝真空度、100毫米真空通道用于zui大工藝氣體電導(dǎo)、KF或ISO標(biāo)準(zhǔn)管件便于維護(hù)；及其它工藝及服務(wù)特性。工藝氣體導(dǎo)管未不銹鋼操作，配備VCE連接件。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)真空處理艙

BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的真空處理艙采用整塊陽(yáng)極氧化鋁合金建造成一體式設(shè)計(jì)。感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PEVCD）系統(tǒng)均采用同樣的真空處理艙設(shè)計(jì)。真空處理艙上部部包括一個(gè)感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗；真空艙下部包括基片電極，真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監(jiān)控設(shè)備。自動(dòng)升降臺(tái)抬舉真空艙上部便于接近底部電極。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)電極配置

感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗同樣用于感應(yīng)耦合等離子（ICP）蝕刻機(jī)沉積系統(tǒng)之中。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）蝕刻電極特別為低真空范圍的*等離子性能設(shè)計(jì)。

不銹鋼材質(zhì)底部電極通過(guò)可選配冷卻循環(huán)器來(lái)控制溫度。感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈陽(yáng)極采用暗區(qū)屏障設(shè)計(jì)，使等離子在兩塊電極之間產(chǎn)生。

感應(yīng)耦合等離子（ ICP）及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ PECVD） 底部電極采用類似的設(shè)計(jì)，電極zui大可耐400℃高溫。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)電源

1000W@13.56MHz射頻電源給電感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈，在低等離子電位下產(chǎn)生等離子密度高達(dá)5 x 1011 eV/cm3（氬氣等離子），而第二套600W@13.56MHz 射頻電源給電基片電極產(chǎn)生射頻偏壓。所有的電源采用固態(tài)、風(fēng)冷式，配備自動(dòng)匹配器。這樣離子能量及離子密度可以分別控制。感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈位于真空艙外部，由陶瓷窗隔離；感應(yīng)耦合等離子（ICP）線圈處于大氣壓下，而非等離子產(chǎn)生環(huán)境中。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)工藝處理真空泵浦

根據(jù)用戶的工藝需要，BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)配備機(jī)械泵、機(jī)械泵及渦輪分子泵，或是帶魯氏鼓風(fēng)機(jī)的機(jī)械泵。也可根據(jù)所需真空處理級(jí)別配備不同尺寸大小的真空泵浦。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)壓力控制

下游壓力控制提供了更加精密的工藝控制。閉環(huán)式壓力控制系統(tǒng)集成在真空處理艙和工藝處理真空泵浦之間。該控制系統(tǒng)包括一套100mm伺服電磁閥及壓力控制器與位于真空處理艙內(nèi)的電容壓力計(jì)相連接；提供了工藝壓力控制的*自動(dòng)化控制。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)控制器

控制器采用電腦控制整個(gè)系統(tǒng)。基于Windows的控制軟件采用多屏幕顯示系統(tǒng)設(shè)備控制、數(shù)據(jù)記錄、稱呼設(shè)定及存儲(chǔ)，系統(tǒng)連鎖應(yīng)需配備。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)可在自動(dòng)或手動(dòng)模式下運(yùn)行。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)選配件

為了增強(qiáng)系統(tǒng)的工藝處理能力，BM8-III感應(yīng)耦合等離子（ICP）系統(tǒng)提供廣泛的工藝處理選項(xiàng)，包括終點(diǎn)檢測(cè)、水冷器（用于冷卻電極）、油霧分離器及吹掃系統(tǒng)、下周壓力控制、硬質(zhì)陽(yáng)極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統(tǒng)也可提供。

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)外觀尺寸

寬: 118cm

深: 95cm

機(jī)柜高度:  91cm

整機(jī)高度: 137cm

重量: 約227公斤

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)安裝條件

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)主機(jī) 220V, 50/60Hz, 20A

感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)真空泵浦: 220V, 60Hz, 10 Amps （*機(jī)械真空泵浦） 220V, 50Hz, 5 Amps

冷卻水:用于電極冷卻5.5L/min （20℃）

大氣: 用于電磁閥控制 （0.55MPa）

氮?dú)猓篘2: 0.1~0.14MPa （用于真空處理艙吹掃））

氣源: 等離子處理工藝氣體, VCR 管件

如果您對(duì)GIK感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)感興趣，請(qǐng)索取更詳盡資料！
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