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Solstice 外延晶片在線光折射檢測(cè)儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 源順科技儀器有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào) Solstice
  • 產(chǎn)地 愛爾蘭
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間 2018/5/14 9:00:00
  • 訪問次數(shù) 1310

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源順有限公司

源順有限公司是一家專門從事納米科技,材料分析,光電產(chǎn)品檢測(cè)及生產(chǎn)設(shè)備銷售和技術(shù)咨詢的高科技公司。我們*代理具有*水平的分析儀器,產(chǎn)品涵蓋了微觀結(jié)構(gòu)觀察,物理性能,力學(xué)性能及電磁學(xué)性能。
Total Solution ,為客戶提供整體解決方案,是源順公司一貫堅(jiān)持的宗旨。 這個(gè)宗旨象征*、品質(zhì)與客戶服務(wù),并將在新的世紀(jì)中,全面提升服務(wù)品質(zhì)以伴隨您的闊步發(fā)展。
源順公司秉持企業(yè)文化:『誠信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『團(tuán)隊(duì)』、『創(chuàng)新』,本著其宗旨『Total Solution』,繼續(xù)將*的技術(shù),以Z佳的成本效益,提供客戶*質(zhì)的精密分析儀器和生產(chǎn)設(shè)備,并堅(jiān)持Z*的服務(wù)。

公司產(chǎn)品主要有:
LUM公司: 多功能的顆粒狀態(tài)與穩(wěn)定度分析儀
Qudix公司: 奈米 & 微米顆粒大小分析儀。
Scinco公司: 可見光及紫外光光度計(jì)(UV-Vis Spectrophotometer), Colormate。
SOFRASER公司: 在線粘度計(jì)。
ProRheo公司: 高階粘度計(jì)。
Rame-hart公司: 接觸角及表面張力分析儀。
AET 公司: 微波誘電分析儀
NANOFILM公司: 呈象橢偏儀,布氏角顯微鏡,LB 薄膜分析。
UNIOPT公司: 雙折射分析儀。
NonoInk: Dip Pen Nanolithography (DPN) 沾筆式納米制程技術(shù)。
ANASYS 公司: Nano-Thermal Analysis。
PNI公司: 原力顯微鏡(AFM)
Capres公司: MRAM,寫磁頭的MTJ 磁阻和隧阻&材料表面 Nano微區(qū)范圍的阻抗分析.
LYNCEETEC公司: DHM (數(shù)字全析顯微鏡)
BEDE公司: 高分辨X射線衍射儀。
OMI公司: Solstice (晶圓或外延片的能階Bandgap分析,Strained Silicon 分析)。
Equinox (IC or MEMS封裝應(yīng)變,3D熱機(jī)械變形及CTE分析)。
Pascal公司: 脈沖雷射濺鍍MBE(PLD MBE) – ZnO, GaN, etc.。
Cambridge Nano Tech: 原子薄膜沉積儀 (ALD).
EpiQuest公司: 研發(fā)型 MOCVD,MBE,VCSEL 氧化系統(tǒng)。


源順公司總部設(shè)在香港,在上海和北京設(shè)立了分公司,深圳和成都設(shè)立了辦事處,并有強(qiáng)大的技術(shù)和維修隊(duì)伍,為客戶提供Z高水平的產(chǎn)品和服務(wù)。

公司產(chǎn)品主要有:X射線衍射系統(tǒng);多功能穩(wěn)定度分析儀 ;奈米顆粒大小分析儀;光電制造和檢測(cè)系統(tǒng);粘度分析系統(tǒng);粒度及微流變分析系統(tǒng);數(shù)字全析顯微鏡;呈象橢偏儀,布氏角顯微鏡,LB 薄膜分析;接觸角及表面張力分析儀;沾筆式納米制程技術(shù);在線粘度計(jì);原子薄膜沉積儀。

外延晶片在線光折射檢測(cè)儀

特 點(diǎn) : 對(duì) 2”-200 mm 的晶片可以進(jìn)行在線的光折射掃描,也可升級(jí)至 300mm 檢測(cè)直徑; 掃描范圍從 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可選; 在室溫,禁帶寬度和偏移 (Band gap/band offset) 測(cè)量可精確到 2 meV ; 可進(jìn)行表面 / 界面電場(chǎng)測(cè)量; 入射角可從 15° 到 75°, 特別適合于 VCSEL/RCLED 晶片; *的模型軟件: TDFF, FDFF, FKO 擬合;

外延晶片在線光折射檢測(cè)儀

優(yōu) 點(diǎn) : 快速非接觸式外延晶片表征; 直接測(cè)量晶片的帶寬,偏移和表面 / 界面電場(chǎng); 應(yīng)用于統(tǒng)計(jì)的過程控制,提高加工穩(wěn)定性; 大幅節(jié)省由于晶片破壞性實(shí)驗(yàn)和設(shè)備制造的費(fèi)用; 提高晶片生產(chǎn)率;較少的校正可以提*; 控制晶片的質(zhì)量,以避免進(jìn)入下一步工序造成的損失; VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破壞性實(shí)驗(yàn); 應(yīng) 用 : 室溫下高精度禁帶寬度測(cè)量; 外延晶片材料中關(guān)鍵部位的電場(chǎng)測(cè)量; 為 HBT 晶片質(zhì)量和靜態(tài)過程控制提供技術(shù); 無損檢測(cè) VCSEL 和 RCLE 晶片產(chǎn)品質(zhì)量; 可以適用多種晶片生產(chǎn)設(shè)備 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可選 ) 適用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 邊發(fā)射激光器材料;



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