半自動高低溫探針臺采用signatone探針臺技術(shù)實(shí)現(xiàn)300mm尺寸晶圓探針臺測試,屬于半自動RF/DC/CV測試高功率探針臺。
半自動高低溫探針臺特點(diǎn)
專為各種晶片上分析和半成品應(yīng)用而設(shè)計(jì)
射頻應(yīng)用2和4端口設(shè)置
直流、CV/IV、脈沖–IV應(yīng)用
IC設(shè)計(jì)/測試驗(yàn)證環(huán)境+300°C
溫度范圍為60°C至+300°C
外殼EMI/RFI/不透光屏蔽
用于精確測量的局部外殼
專為高級EMI/RFI/不透光屏蔽。
FemtoAmp低泄漏水平
產(chǎn)品多功能性
設(shè)計(jì)用于所有或部分晶圓探測
推出位移臺，便于晶圓加載
主動隔振臺（可選）
半自動高低溫探針臺可選項(xiàng)和配置
本地機(jī)柜支持4倍射頻+2倍直流或
8x直流微型定位器/4.5英寸寬探針卡
有多種配置，包括
多種卡盤選項(xiàng)，直流/射頻/高功率定位器、計(jì)算機(jī)輔助探頭、顯微鏡，相機(jī)，
半自動高低溫探針臺推出型位移臺
推出式位移臺設(shè)計(jì)，便于裝載和安裝晶圓樣品和單個集成電路的卸載
非常適合與探測卡和multi
探測/復(fù)雜設(shè)置
方便使用輔助卡盤
鎖定和解鎖位置指示器
演示文稿285mm/95%
鎖定/解鎖指示燈
簡化了本地機(jī)柜選項(xiàng)的使用

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