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PLUTO-MC-真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備

2024-06-30

產(chǎn)      地:
暫無
所在地區(qū):
上海上海市
有效期還剩 37舉報(bào)該信息

真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備

常規(guī)沉積涂覆工藝的缺點(diǎn):


  • 無標(biāo)題.png














涂層厚度為毫米量級(jí)會(huì)影響電子產(chǎn)品的外觀及性能。

  • 大量的化學(xué)品消耗,污染嚴(yán)重。

  • 毛細(xì)效應(yīng),導(dǎo)致高密度器件表面無法實(shí)現(xiàn)涂層。

  • 樣品處理前仍然需要進(jìn)行復(fù)雜的清洗工藝以確保涂層黏附性。

  • 涂覆有方向性,影響整體防護(hù)效果。

  • 涂覆會(huì)影響樣品的射頻穿透性及產(chǎn)品的外觀。



真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品特點(diǎn):

1.13.56MHz射頻電源與自動(dòng)匹配系統(tǒng),具備優(yōu)異的穩(wěn)定性與可重復(fù)性。

2.優(yōu)化的氣體饋入與分布設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的處理均勻性。

3.可靈活設(shè)置的電極及電極的實(shí)時(shí)可控,滿足功能材料的大面積可控沉積。

4.精準(zhǔn)安全的液態(tài)源供應(yīng)系統(tǒng),滿足不同功能材料的快速大面積沉積。

5.PLC提供穩(wěn)定的過程控制,設(shè)備運(yùn)行的實(shí)時(shí)參數(shù)通過顯示屏直觀呈現(xiàn)。

6.系統(tǒng)設(shè)置多級(jí)管理權(quán)限,集簡易的操作體驗(yàn)與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓に嚬芸嘏c一體。



PMC參數(shù):

  • 最大涂覆面積:150mm*150mm

  • 頻率:13.56MHz

  • 功率:0-200W

  • 物料容積:10-150ml

  • 溫控范圍:加熱(室溫~200℃)保溫(室溫~200℃)

  • 流量控制:轉(zhuǎn)子流量計(jì)

  • 管路:最多4路氣體(同時(shí)可通入4種物質(zhì))

  • 電源電壓:交流220V



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