資料簡介
20世紀(jì)50年代初期,電子學(xué)中半導(dǎo)體材料崛起,觀察到半導(dǎo)體的電性能與雜質(zhì)含量有關(guān)。由于重金屬雜質(zhì)具有電活性,嚴(yán)重降低單晶硅中載流子壽命,所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下,測定雜質(zhì)含量在10-6%—10-8%或更低。半導(dǎo)體材料使人們認(rèn)識到痕量元素在超純材料中的重要性,從而開辟了痕量分析的新時代。
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